CVD金刚石厚膜的机械抛光研究.pdfVIP

维普资讯 2007年 6月 金刚石与磨料磨具工程 June．2007 总第 159期 第3期 Diamond AbrasivesEngineering Seria1．159 No．3 文章编号：1006—852X(2007)03—0032—04 CVD金刚石厚膜的机械抛光研究 严朝辉 汪建华 满卫东 熊 军 (武汉工程大学湖北省微波等离子体化学与新材料重点实验室，武汉430073) 摘 要 化学气相沉积 (CVD)制备的金刚石膜表面粗糙且厚薄不均匀，在许多情况下不能直接使用，必须对其进行抛 光。本文研究了不同型号的金刚石微粉对CVD金刚石厚膜研磨的影响，通过对研磨结果的比较分析，优化出一种高质 量高效率的抛光方法 ，即先采用W40和W28金刚石微粉，分别研磨2h，然后用WO．5金刚石微粉研磨4h。经扫描电子 显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试分析表明：金刚石膜的平均去除率为 12．2p~m／h，粗糙度R。由4．60 m降至 3．06nm，说明该抛光方法能实现金刚石膜高质量、高效率的抛光。 关键词 CVD金刚石膜；研磨 ；抛光 中图分类号 TQ164 文献标识码 A StudyofmechanicalpolishingofCVD diamondthickfilms YanZhaohui WangJianhua ManWeidong XiongJun (ProvinceKeyLaboratoryofPlasmaChemicalAdvancedMaterials，WuhanInstitute ofTechnology，Wuhan430073，China) Abstrad DiamondfilmspreparedbyChemicalVaporDeposition (CVD)usuallyhaveaveryroughsurfaceanduneven thicknessandshouldbepo lishedbeforeapplication．Inthispaper，weinvestigatedhtepo lishingeffectsofCVD dima ondfilms usingd~emm sizesdima ond powderand introduceda high quality nadef~cientpolishing mehtod，htatistopolish theCVD dima ondfilm firstwithdima ondpowderofW40nadW28for2hours．htencontinuehtepolishingwithdima ondpowderof W0．5 f0r4hours．TheScanningElectronMicroscope(SEM)nadAtomicForceMicroscopy(AFM)testresultsofthepolisheddiamond filmshowhtatthe averageremovalrateof山 diamond filmis12．2p~m／hnadhtesurfacerouhgnessisdecreasedfrom4．60 m ot3．06nmbyhtismehtod．Theexperimentresultsalsoshowhtatit’Sahi．hg qualitynadefficientpolishingmehtod forCVD diamondfilms． Keywords CVD dima ondfilm；lapping；polishing 这就极大的限制了它在许多方面的应用，因此 CVD金 1 引