精细雾化Cu-CMP抛光液抛光效果的试验研究.pdfVIP

2011年 12月 第6期 金刚石与磨料磨具工程 Dee．2O11 第31卷 总第 186期 Diamond AbrasivesEngineering No．6 Vo1．3l Seria1．186 文章编号：1006～852X(2011)06—0056—03 精细雾化 Cu—CMP抛光液抛光效果的试验研究 张 慧， 李庆忠， 闫俊霞 (江南大学机械工程学院，无锡 214122) 摘要 以磨料 白炭黑、氧化剂HO、有机碱三乙醇胺、分散剂聚乙二醇为原料，通过正交设计的方法配制 一 系列抛光液，通过四甲基氢氧化铵调节抛光液的pH值为 12，然后在研磨抛光机上对铜片进行超声波 精细雾化化学机械抛光(CMP)。对抛光盘转速与材料去除率的关系进行了研究，并对传统抛光和雾化抛 光效果进行了对比。试验结果表明，分散剂、白炭黑、有机碱、氧化剂对抛光去除率的影响依次减弱。随 着抛光盘转速的增加，雾化抛光的去除率经历了先缓慢增加、再急剧增加、后缓慢增加的变化过程。在同 等的试验条件下，传统抛光的去除率为223nm／min，铜片表面粗糙度为7．93nm，雾化抛光去除率和铜片 表面粗糙度分别为 125nm／min和3．81nm；虽然去除率略有不及前者，但抛光液用量仅为前者的十几分 之 一 。 关键词 化学机械抛光；铜 ；去除率；雾化 中图分类号 TG58 文献标志码 A Experimentalstudyonpolishingeffectsoffineatomization copperCM P slurries ZHANG Hui， LIQing-zhong， YAN Jun—xia (SchoolofMechanicalEngineering，JiangnanUniversity，Wuxi214122，China) Abstract A series ofpolishing slurrieswere compounded using silica as abrasive ，H2O2as oxidizer ， triethanolamine as organic base and polyethylene glycolas dispersantby the orthogonaldesign method． TetramethylammoniumhydroxidewastakentoadjustpHto12．CopperswerepolishedontheUNIPOL—I502 experimentmachineusingultrasonicatomisingmethod．Therelationbetweenmaterialremovalrate(MRR)and rotatingspeedwasinvestigated，andexperimentaleffectswerecomparedbetweenthetraditionalpolishingand theultrasonicatomizationpolishing．Theresultsshowedthattheeffectofdispersant，abrasive，organicbaseand oxidizeronMRR decreasedin succession．Astherotatingpadspeed increased，atomizationpolishingremoval ratewentthroughaprocessofincreasewhichwasinitiallyslow，thensharp，andlastslow．Underthesametest conditions，theremovalrateandthecoppersurfaceroughnessoftraditionalpolishingwere223 nm ／minand 7．93nm ．whilethoseofatomizat