碳化硅体系烧结反应机理研究.pdfVIP

2010年o4月 第 2期 金刚石与磨料磨具工程 Apr．2010 第3O卷 第 176期 Diamond＆AbrasivesEngineering No．2 Vo1．30 Seria1．176 文章编号：1006—852X(2010)02—0054—04 古 日 同胍高压下金刚石／碳化硅体系烧结反应机理研究 李庆华 彭 放 武 琪 寇 自力 (四川大学原子与分子物理研究所 ，成都610065) 摘要 本文研究了微米级金刚石与硅粉在高温(800—1200oC)高压(5．1GPa)下的反应机理。通过对 金刚石与硅粉反应过程的研究，发现微米级金刚石与硅粉在硅熔点以下发生了反应；并指出高温高压下 微米金刚石与硅粉的反应分为两个阶段：硅未熔化前的金刚石与硅的反应，硅熔化后的金刚石与硅、石 墨与硅的反应。最后提出了一种新的合成金刚X；／碳化硅复合材料的工艺，即采用高压熔渗法合成金刚 石／碳化硅复合材料时，在温度略高于硅熔点之后保温一段时间，再升温到合成材料的设定温度，可以合 成 出结构更加均匀的、高质量的金刚石／碳化硅复合材料。 关键词 烧结；高温高压；金刚石／碳化硅复合材料 中图分类号 TQ164 文献标识码 A DOI编码 10．3969／j．issn．1006—852X．2010．02．012 Reactionmechanism ofdiamond-siliconcarbidesystems underhighpressureandhigh temperature LiQinghua PengFang WuQi KouZili (InstituteofAtomicandMolecularPhysics，SichuanUniversity，Chengdu610065，China) Abstract Thereactionmechanism ofmicrondiamondandsiliconpowderat800—1200 and5．1GPawas studied．Basedonthephasecomposition analysis，itisofundthatmicron diamondand silicon havereacted below themeltingpointofsilicon．Theauthorsproposedthat，thereaction ofmicrondiamondandsilicon powderunderHT-HPwasrealizedthroughtwosteps．Thefirststepisthereactionbetweendiamondandsilicon underthemeltingpointofsilicon；Thesecondstep isthereactionbetween siliconanddiamond，andthat betweensilicon and graphiteabove themeltingpointofsilicon．Finally，anew techniqueforsynthesizing diamond／SiC compositematerials infiltrationsinteringatHPispresented，bythismethodwefirstlyhold temperatureabovethemeltingpointofsilicon ofra certain time ，then rising the temperature to the set sinteringtemperatureofcompositematerials，atlastwecangetmoreuniformlystructureddiamond ／silicon carbidecompositematerials． Keywords sintering；hightemperatureandhighpr