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金属学与金属工艺
维普资讯
碳化硅冶炼优化控制的试验研究
州磨料磨具磨削研究所 奎志左 雀金东/刘红林 肖俊明
摘要 该文简介 了SiC冶炼的现有控制方法,推导出了优化控制的数学模型,给 出了试验研 究的一些数据和
曲线,介绍了系统控制组成,提 出了进一步提高冶炼控制水平的建议。
1 现有控制方法 设 SiC在冶炼过程中炉各部位的逸出eO气体是
碳化硅冶炼是个高耗能的过程 ,而碳化硅本身是 均匀的 则测定其中一部分时有 :
个节能产品 工业愈发达 ,碳化硅的用途会愈广泛 ,用
量会愈大 该产品自发明以来 ,如何优化控制参数还 Q=klQ J。一口(r)dr=一j。g(r)dr
k.为比例常数
没有一个 自圆其说的理论 ,于是在行业 中众说纷云,莫
衷一是 目前主要有 以下控制方式: 设输入炉子的功率为P(r),则输A炉子的总电量
P为 :
(1)恒一次电流控制
这是一种较原始 的方法,但在 中小厂仍在沿用。 P = fP(r)dv
它是控制冶炼炉供电系统的一次电流在某额定值 (实
. 单位 SiC产品的耗 电量 D为:
际是在某范围内波动)。
(2)恒 KVA控制
毗 ,: =
因一次电压经常波动,恒一次电流并不能得到输
人炉内的视在功率不变,故改用恒 KVA控制,使控制
其中k为 co生成量和 SiC生成量之间的比例常
精度有所提高 。
数 ,令 k.k =k,则有 :
(3)恒功率控制
在上两种控制的基础上,进一步认为输人炉 内的 IP(r)dr
D(r)= —一
功率保持一定 ,炉芯向外发散的热量可以保持一定 ,从
kIq(r)dr
而可以控制炉子冶炼过程的进度,达到有效利用能量
对上式进行微分得 :
之 目的
冶炼结束的依据 :①按总供电度数停炉;②按总冶 ㈩ )叫一 P㈤d1『
炼时间停炉 ;③ 以上两种方式混合并用。 d 一 [f=q()d]
经检索和查阅有关资料以及我国磨料行业出国考
察人员所见所闻,未见到国外在这方面有所进展的报 当 :0时,D()有极小值
dr
导
‘
2 优化控制数学模型的建立 . . Pfq )dr—qlP(r)dr=0
欲对碳化硅冶炼过程进行优化控制 ,必须先建立 此式 即为使 SiC单耗最低时的 目标 函数 ,是我们
数学模型 ,然后再用现代的计算机实施优化控制 下 所寻求 的数学模型。
面是以单位产品耗电最低为控制 目标函数的数学模型
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