直流电弧等离子体CVD金刚石膜工艺参数优化.pdfVIP

维普资讯 2008年 6月 金刚石与磨料磨具工程 June2008 总第 165期 第3期 Diamond AbrasivesEngineering Serial：165 No．3 文章编号：1006—852X(2008)o3—0070—04 直流电弧等离子体 CVD金刚石膜工艺参数优化 张鬲君 苗晋琦 钟国防 (1．中原工学院工业训练中心，郑州450007) (2．北京科技大学材料学院，北京 100083) 摘 要 为了研究工艺对 CVD金刚石膜生长的影响，本文采用电镜、激光 Raman谱分析等手段研究工 艺参数对CVD金刚石膜生长速率和生长质量的影响。结果显示：金刚石薄膜的生长速率随甲烷浓度 (3％ 10％)、基片温度 (800—1200℃)的增加而增加 ，随工作气压 的升高先是增加 ，而后 降低 ，峰值在 15—20kPa处。金刚石薄膜中非金刚石碳的相对含量先随基片温度的增加逐渐降低 ，在 1080—1100℃ 达到最小值以后又开始急剧增加，膜的质量(结晶形态好和非金刚石碳的相对含量少)在 1080—110023 处达到最佳。 关键词 直流电弧等离子体喷射；化学气相沉积；金刚石膜；工艺参数 中图分类号 TQ164 文献标识码 A Optimization on thetechnicalparametersofDC arc plasmajetCVDdiamondfilms ZhangLijun MiaoJinqi ZhongGuofang (1．IndustrialTrainingCenter，ZhongyuanInstituteofTechnology，Zhengzhou450007，China) (2．SchoolofMaterial，UniversityofScienceandTechnologyBeijing，Being100083，China) Abstract Inordertostudyhow thetechnicalparametersinfluencetheCVD diamondfilm growth，in this paper，effectsoftechnicalparametersonthegrowthrateandthequalityofdiamondfilmsweresystematically analyzedbySEM(scanningelectro—microscopy)observationsandRamanspectroscopy．Itisshownthatthe diamondrgowthrate increaseswith theincreaseofmethaneconcentration(3％ 一10％)and substrate temperature(800—1200℃)，anditfirstincreaseswiththeincreaseofchamberpressurethendecreasesafter reachingthemaximum atabout15—20kPa．Thecontentofnon—diamond crabon inthefilm decreasesfirst withtheincreaseofsubstratetemperature，thenincreases，afterreachingtheminimumat1080—110023．Th e qualityofdiamondfilmreachesthebest(withgoodcrystallinemorphologyandlowcontentofnon—diamond carbon