(新)半导体材料发展现状和趋势李霄1111044081.docVIP

序号：3 半导体材料的发展现状及趋势 姓名：李霄 学号：1111044081 班级：电科1103 科目：微电子设计导论 二〇一三年 12 月23 日 半导体材料的发展进展近况及趋向 引言：随着全球科技的飞速发展成长，半导体材料在科技进展中的首要性毋庸置疑，半导体的发展进展历史很短，但半导体材料彻底改变了我们的生活，从半导体材料的发展历程、半导体材料的特性、半导体材料的种类、半导体材料的制备、半导体材料的发展。从中我们可以感悟到半导体材料的重要性 关键词：半导体、半导体材料。 一、半导体材料的进展历程 20世纪50年代，锗在半导体产业中占主导位置，但锗半导体器件的耐高温和辐射性能机能较差，到20世纪60年代后期逐步被硅材料代替。用硅制作的半导体器件，耐高温和抗辐射机能较好，非常适合制作大功率器件。因而，硅已经成为运用最多的一种半导体材料，现在的集成电路多半是用硅材料制作的。二是化合物半导体，它是由两种或者两种以上的元素化合而成的半导体材料。它的种类不少，主要的有砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化铟(InSb)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、硫化镉(CdS)等。此中砷化镓是除了硅以外研讨最深切、运用最普遍的半导体材料。氮化镓可以与氮化铟（Eg＝1.9eV）、氮化铝（Eg＝6.2eV）构成合金InGaN、AlGaN，如许可以调制禁带宽度，进而调理发光管、激光管等的波长。三是非晶半导体。上面介绍的都是拥有晶格构造的半导体材料，在这些材料中原子布列拥有对称性和周期性。但是，一些不拥有长程有序的无定形固体也拥有显著的半导体特征。非晶半导体的种类繁多，大体上也可按晶态物质的归类方式来分类。从现在}研讨的深度来看，很有适用价值的非晶半导体材料首推氢化非晶硅（α－SiH）及其合金材料（α－SiC:H、α－SiN:H），可以用于低本钱太阳能电池和静电光敏感材料。非晶Se（α－Se）、硫系玻璃及氧化物玻璃等非晶半导体在传感器、开关电路及信息存储方面也有普遍的运用远景。四是有机半导体，比方芳香族有机化合物就拥有典范的半导体特征。有机半导体的电导特征研讨可能对于生物体内的基础物理历程研究起着重大推进作用，是半导体研讨的一个热点领域，此中有机发光二极管（OLED）的研讨尤为受到人们的看重。 二、半导体材料的特性 半导体材料是常温下导电性介于导电材料以及绝缘材料之间的一类功效材料。靠电子以及空穴 两种载流子 实现导电，常温下电阻率平常在10-5～107欧·米之间。平常随温度升高而上升；若掺入活性杂质或者用光、射线辐照，可以使其电阻率 有几个数量级 的转变。1906年 制成了碳化硅 1947年创造晶体管 以后，半导体材料作为一个特殊的的材料领范畴获得了很大的进展}，并成为电子产业以及高技能领域{中不可缺乏的材料。特性和参数半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度高的半导体材料称为本征半导体 ，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适量杂质后，因为杂质原子供给导电载流子 ，使材料的电阻率大为下降。这类掺杂半导体常称为杂质半导体 。杂质半导体 靠导带 电子导电的称N型半导体，靠价带空穴 导电的称P型半导体 。 不同类型半导体间接触组成PN结 或者半导体与金属接触时，因电子或者空穴 浓度差而发生分散，在接触处构成位垒，于是这类接触拥有单向导电性 。使用PN结 的单向导电性 ，可以制成具备差别功效的半导体器件 ，如二极管、三极管、晶闸管 等。 另外，半导体材料的导电性 对外界前提（如热、光、电、磁等因素）的转变异常敏感，据此可以制作各类敏感元件 ，用于信息转换。半导体材料的特征参数有禁带宽度 、电阻率、载流子迁徙率 、非平衡载流子寿命以及位错 密度。禁带宽度 由半导体的电子态、原子组态 决定，反应组成这类材料的原子中价电子从约束状态激起到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁徙率 反映材料的导电本领。非平衡载流子寿命反应半导体材料在外界作用下内部载流子由非均衡状态 向均衡状态 过渡的弛豫特征。位错 是晶体中最多见的一类缺点。位错 密度用来权衡半导体单晶 材料晶格 完备性的水平，对非晶态半导体材料，则没有这一参数。半导体材料的特征参数不但能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，首要的是能反映各类半导体材料之间乃至同一种材料在差别情形下，其特征的量值差别。 三、半导体材料的种类 半导体材料可按化学组成来分，再将构造与性能对比特别的非晶态与液态半导体单独{列为一类。遵照如许分类要领可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体以及非晶态与液态半导体。元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族散布着11种拥有半导性的元素，此中C是金刚