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。IGBT的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。图1是IGBT 门极电容分布示意图，其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容或称米勒电容（Miller Capacitor）。门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示，它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响，但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。在IGBT数据手册中给出的电容Ces 的值，在实际电路应用中不是一个特别有用的参数，因为它是通过电桥测得的，在测量电路中，加在集电极上C 的电压一般只有25V(有些厂家为10V)，在这种测量条件下，所测得的结电容要比VCE=600V 时要大一些。由于门极的测量电压太低(VGE=0V )而不是门极的门槛电压，在实际开关中存在的米勒效应（Miller 效应）在测量中也没有被包括在内，在实际使用中的门极电容Cin值要比IGBT 数据手册中给出的电容Cies 值大很多。因此，在IGBT数据手册中给出的电容Cies值在实际应用中仅仅只能作为一个参考值使用。 　　 确定IGBT 的门极电荷 对于设计一个驱动器来说，最重要的参数是门极电荷QG(门极电压差时的IGBT 门极总电荷)，如果在IGBT 数据手册中能够找到这个参数，那么我们就可以运用公式计算出：门极驱动能量 E = QG UGE = QG* [ VG(on) - VG(off) ] 　　门极驱动功率 PG = E fSW = QG*[ VG(on) - VG(off) ]* fSW 　　驱动器总功率 P = PG + PS（驱动器的功耗） 　　平均输出电流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG fSW 　　最高开关频率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC) 　　峰值电流 IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min 其中的 RG min = RG extern + RG intern fsw max. : 最高开关频率IoutAV : 单路的平均电流QG : 门极电压差时的 IGBT门极总电荷RG extern : IGBT 外部的门极电阻RG intern : IGBT 芯片内部的门极电阻但是实际上在很多情况下，数据手册中这个门极电荷参数没有给出，门极电压在上升过程中的充电过程也没有描述。这时候最好是按IEC60747-9-2001-Semiconductor devices-Discrete devices-Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) 　　所给出的测试方法测量出开通能量E，然后再计算出QG。 　　E = ∫IG ? ΔUGE dt = QG * ΔUGE 　　这种方法虽然准确但太繁琐，一般情况下我们可以简单地利用IGBT数据手 　　册中所给出的输入电容Cies值近似地估算出门极电荷： 　　如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=4.5Cies， 　　门极电荷 QG ≈ ΔUGE Cies *4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] * Cies * 4.5 　　Cies : IGBT的输入电容（Cies 可从IGBT 手册中找到） 　　如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=2.2Cies， 　　门极电荷 QG ≈ ΔUGE Cies * 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] * Cies * 2.2 　　Cies : IGBT的输入电容（Cies 可从IGBT 手册中找到） 　　如果IGBT数据手册中已经给出了正象限的门极电荷曲线，那么只用Cies 近似计算负象限的门极电荷会更接近实际值： 　　门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE Cies * 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] * Cies* 4.5 　　-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT 　　门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE Cies * 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] * Cies * 2.2 　　-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT 　　当