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DOMS的全称是Double-diffused Metal Oxide Semiconductor. DMOS工艺：DMOS(双扩散MOS)晶体管是针对大电流、高电压而优化设计的。为了提高击穿电压而将这类元件设计成长沟道结构。将几个单元并联来实现大电流(低的导通电阻)和高能量密度。DMOS工艺比逻辑工艺具有更厚的栅极氧化层，这样可以制造出更坚固的器件。如果这些基本的工艺以逻辑方式组合起来，可以得到下列不同的组合工艺，根据它们的专有特性可以适用于特定的应用领域。1 引言 ?? 汽车电子技术发展迅猛，多种新型电子控制装置几乎全面进入整车各系统，极大地提高了汽车性能，有专家预测：今后十年内，汽车电子及其相关产品在整车的成本 比例将从目前的平均20％上升到32％，其发展速度从10％提高到20％，耗电量不断增加，导致车内电力负载年增加100W以上，具有电能使用效率高、传 输快捷、转换容易、控制灵活等一系列特性的车内电器日趋增多，采用电磁或电动执行器替代液压和气压传动执行器已成为一种趋势，一些带电的机械装置正加速转 变为带机械的电子装置，各种线控系统的研发目标是取代液压与机械控制系统，极大地增添了汽车电气系统的负荷。为解决这一发展瓶颈，唯一可行的办法是车内供 电直流电压由14V转向42V电气系统，或14/42V双电压电气系统（按电器设备和电子装置消耗功率的大小分为两组，耗电功率较大的一组使用42V供电 系统，而耗电较小的一组采用14V供电系统）提高交流发电机电压以增大其输出功率，供电容量将从目前的1.5kW左右提高到今后的5kW以上，电气化控制 以及新的供电系统中，需要大量采用功率MOSFET（金属－氧化物－半导体场效应晶体管），进行功率变换、控制与驱动各种大功率的负载，同时， 先进的功率MOS技术也促进新型汽车电控系统的发展与提高，据报道，一辆轿车中所使用的功率MOS器件至少有数十只，甚至上百只，在汽车电气系统的功率流 向和分配管理诸方面发挥重要作用，使电能的应用处于最佳状态。 2 汽车用功率MOSFET特性 功率MOSFET是低压范围内最好的功率开关器件，以其输入阻抗高，低损耗、开关速度快、无二次击穿、安全工作区 宽、动态性能好，易与前极耦合实现大电流化、转换效率高等特性用于处理电能，包含频率变换、功率变换和控制、DC/DC转换等。其生产工艺进入亚微米、深 亚微米时代，采用Spacer技术研制的小单元尺寸第五代功率MOSFET和槽栅功率MOSFET工业化生产，元胞密度高达每平方厘米4448.5万个， 其精细工艺与微电子电路相当，新结构、新工艺还在不断完善中，并向高压大电流、低压小功率、极低内阻、线性微波功率MOS器件等方面发展。 汽车用功率MOSFET的负载主要以电动机、阀门、灯、加热部件、电容性压电组件和DC/DC电源以及其他由电动机 驱动的装置为主，广泛涉及到器件的电压、电流、导通电阻等参数，例如MOSFET的导通电阻要尽量减低以达到降低导通损耗之目的，而导通电阻和击穿电压成 反比，从减低开关损耗的角度看，击穿电压要高才好，实际应用中将这两个要求折衷考虑。另外、汽车电控装置多处于强电与弱电、高压和低压、高低温差大、潮 湿、振动、冲击、电磁干扰等情况共存的恶劣环境，对器件的过载能力及散热设计都有较高的要求。 汽车电子控制系统中的很多负载无法被微控制器或低电压接口器件直接驱动，不同部分需要采用击穿电压相异的功率MOSFET。譬如，电机控制桥接装置将采用 30V和40V击穿电压的产品，在必须控制负载突卸、突升启动情况的场合，采用60V产品驱动负载，当行业标准广泛采用42V电源系统时，75V到 100V的功率MOSFET是较优化的选择，高辅助电压的装置则使用150V型产品，400V以上的多用于发动机/启动器一体化组件与高亮度放电HID前 照灯的控制电路。汽车用功率MOSFET驱动电流范围2A－100A，导通电阻2mΩ－100mΩ，开关频率通常为10KHz－100kHz，封装符合 汽车电子委员会发布的分立半导体器件可靠性认可测试步骤AEC－Q101标准，在非苛刻环境下通常采用标准封装，以降低生产成本。 与其他功率MOSFET市场显著不同的是，汽车用产品更倾向采用经过市场试验验证的半导体技术而非最新技术，在技术 发展上相对滞后，管芯设计必须考虑汽车环境，可靠性及性能问题，因而面临更多的挑战，通过改进设计适应汽车环境，被看作是挖掘功率MOSFET盈利潜能的 进一步发展。功率MOSFET比其他任何市场更注意产品可靠性，即使是一个极小的故障也可能导致产品召回，整车企业损失严重。 3 HEXFET 功率MOS最基本结构为垂直导电双扩散VDMOS型，源极的形状（基本单元）有三角形、正方形、六角形 （Hexangular）等多种设计，HEXFET就