十、互连和IO-1.pptVIP

第10章 互连和I/O * EMC theory and application PCB上的I/O和相关的互连部件，包括串口、并口、以太网口、外部存储驱动、调制解调器、视频显示器、音频设备、用户接口以及其他很多设备，是对EMI、ESD以及其他形式的辐射和传导干扰比较敏感的部件 I/O电路的RF发射大多来自如下原因： I/O互连耦合的共模RF能量 电源平面的开关噪声耦合到I/O电路和线缆 时钟信号以传导和辐射方式耦合到I/O线缆 数据信号线未滤波 接地形式不正确 使用性能不好的I/O连接器 两电路间存在地电位差 分 区 功能子系统 功能子系统是指支持某种特定逻辑功能的一组元件，将这些元件靠近放置可以减小电路布线长度，提高性能。 然而由于种种原因，这样做有时是不现实的。 但I/O子系统必须单独考虑，不能等同于其他一般子系统，分区布局对实现I/O子系统是非常重要的。 分区布局有助于改善信号完整性，防止高频干扰源产生破坏性的干扰，影响串口、并口、视频、音频、异步/同步、软驱、面板控制显示、局域网和广域网控制等。所有的I/O系统都应按照单独的PCB来进行构想、设计和实现。 寂静区 寂静区是指与数字、模拟以及其他功能区进行物理隔离的区域。 所有I/O端口都必须单独分区，或者与数字电源/地平面进行隔离。 应注意控制PCB的布线，防止滤波后的内部RF电流耦合到电缆屏蔽层上。 寂静区可通过如下方法实现： （1）I/O信号通过隔离变压器进入和离开系统（以太网、电信或者光纤） （2）数据线滤波 （3）通过高阻抗共模电感滤波 （4）使用铁氧体元件 内部辐射噪声耦合 功能子区域之间可能会有辐射RF耦合，为防止内部RF耦合，需要设置一个屏障。 该屏障立在零伏参考面上方的间隔适于所关心的最高频率的铁栅栏。 该屏障要足够高，防止元件间直接的RF辐射耦合。 该屏障在物理上类似于单面或双面板上电源和接地网络的标准总线。每一处都接地，在电源平面和地平面间应使用电容旁路掉内部产生的RF电流，这一点很重要。 建议预先留好将来设置屏障的位置，只要能设置过孔，就可以很容易地实现屏障。 在PCB上增加屏障设计要比在生产出来的电路板上添加容易得多。 隔离和分区 隔离和分区是指在物理上将元件、电路和平面与其他功能设备、区域和子系统分隔开。允许RF电流以辐射和传导的方式传到电路板上不同部分，不仅会导致EMI问题，而且可能引起功能问题。CMOS和双极元件在如下情况会产生很大的瞬态电流： 电流直接从电源入地（内部电源吸收） 电流从电源管脚，通过芯片，流到输出管脚（高电平驱动，电流源输出到负载） 电流流到输出管脚，通过芯片，到内部地管脚（低电平驱动，从负载抽取电流） 防止数字电流进入模拟地平面的常用方法如下所述，这项设计技术称作“护沟”。 在PCB上分区，分为模拟、数字和I/O区域 在所有平面上，沿分区边线除去区域之间的铜皮，以实现隔离，无铜的区域就定义为“护沟” 对于电源和接地平面，护沟最小宽度为0.25mm 将模拟地和数字地在一处并且仅在一处连接起来，该连接处是跨过护沟的“桥” 将模拟元件的模拟部分置于桥的中间 任何情况下不允许信号线跨过护沟 确保任何跨接模拟区与数字区的信号线通过“桥”所在的位置，并且是位于紧邻桥的信号层 对模拟电源和锁相环电路进行滤波，以去除数字噪声 方法1：环绕护沟 使用隔离变压器、光隔离器或者数据线滤波器，将I/O区与PCB其他区域100%隔离开。 图 护沟的方式实现隔离—方法一 方法2：护沟上的桥接-分区 在控制区与隔离区之间架了一座“桥”，此桥是经护沟实现连接的唯一的地方，信号线、地和电源线从这里穿过。 图 I/O分区护沟上的桥连—方法二 任何与隔离区无关的布线越过护沟时，都会导致严重后果，会产生RF环路电流，RF电流沿布线路径的镜像返回，在两个分隔的区域间就会生成共模噪声。 图 违规跨越护沟 桥接时，桥的两端都要搭接到机架地上，在机架和系统选用多点接地结构方式的情况下强烈推荐使用这种方法，入口接地到桥上有两方面作用： 接地可以避免地平面（地噪声电压）上高频共模RF成分耦合到隔离区 接地能减小机架上和板卡边缘的涡旋电流（提高地回路控制作用），为RF电流（PCB内部）提供了更低阻抗的接地路径，避免经其他路径流入机架地，如I/O电缆 桥的两端都进行接地还可提高防静电放电的抗扰度。如果高频脉冲注入到I/O连接器，其能量会传到主控区引起永久性的损坏，所以，必须通过低阻抗路径将该脉冲能量导引到机架地上，防止元件受损。 桥两端都接地的另外一个原因是为了消除因隔离区和主控区地电位梯度而产生的RF地噪声。 数字和模拟分区后应该如何布线，见下图 图 数字和模拟分区 滤波和接