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应用注AN4137 反激变换器用于离线设计指南 使用飞兆半导体开关电源(FPS) 文摘 　　介绍了一种离线的实际设计指南反激变换器采用FPS(飞兆半导体功率转换器开关)。开关电源(电子)设计一支耗时的工作需要很多权衡和迭代,以大量的设计变量。逐步设计过程进行了阐述电子帮助工程师使设计很容易。为了使设计过程更加有效,一个软件设计工具,平衡设计助理,包括所有方程 图1 使用基本离线反激变换器FPS 　　 1. 介绍 图1显示了离线反激变换器的基本原理,转炉采用FPS,这也作为参考电路设计过程进行了阐述。因为MOSFET PWM控制器结合各种附加电路整合为一个单一的包装设计是容易得多,比电子离散MOSFET PWM控制器的解决方案。本文提供一个步骤设计过程对FPS基于离线反激变换器,萤火虫。 2. 步骤设计程序 　在这个章节,提出了一种用设计程序。图1作为一种原理的参考。一般来说,大多数FPS射击设备具有相同的销配置从1到销4针,如图1所示。图2说明了设计流程图表。详细设计程序如下: 第一步:定义系统规格 　　-电压范围Vlinemin and Vlinemax). -市电频率(fL) . -最大输出功率(Po). -估计效率(Eff)：必须估计电力转换效率最大输入功率的计算。如果没有参考数据是可得到的,设置Eff = 0.7~0.75在此范围应用低电压输出和设置Eff = 0.8~0.85作为高电压输出的应用。 在估计效率情况下，最大限度的输入功率给出了 （1） 电子多输出、负荷的因素。占领每个输出的定义 （2） 在Po(n)是最大输出功率的形式输出。电子单输出, KL(1)=1. （2）第二步：确定直流环节电容器(CDC)和直流环节电压范围。 　　这是典型的选择2-3uF直流环节电容器作为每瓦特普遍的输入功率输入范围(85 - 265 Vrms)1每瓦特输入功率超滤对欧洲输入范围(195 V -265 Vrms)。选择与直流环节电容器,最低获得连接电压 　Dch是直流环节电容器充电的占空比。定义如图3,通常为0.2左右和Pin、Vline和fL,高度层在第一步中。 最大的直流环节电压公式如下 在第一步中指出来了。 图2。流程图的设计过程 图3。直流环节电压波形 　　(3)第三步：确定的最大的责任比(距离) 一个反激变换器具有两种操作模式;连续导电模式(CCM)和不连续传导模式(DCM)。连铸结晶器和DCM有他们自己的优点和缺点,分别。一般来说,DCM条件提供了更好的开关整流器二极管,因为工作在零电流二极管而已在成为可以偏正。变压器大小减少使用DCM因为普通的储能。 图4 电流波形DCM反激变换器 在连铸结晶器的情况下变换器、设计过程自从input-to-output向前电压增益只取决于责任周期。与此同时,input-to-output电压增益的反激变换器不取决于DCM只有在责任周期还取决于负载情况下使电路设计有点复杂。然而,人们普遍认为,DCM反激变换器下运作而设计,在边界和CCM DCM输入电压及极限载荷最小 图5 输出电压的主要体现 当MOSFET在FPS是关闭的,输入电压(VDC),连同着输出电压反射回来的初级飞羽(VRO)对MOSFET如图所示5。摘要在确定距离,VRO,最大的名义MOSFET电压(Vds公司)得到来 在和叙述方程(3)(4)分别。从中我们可以看到方程(五)、(六)电压应力MOSFET会降低,减少距离。然而,这增加了电压应力整流器在二次侧二极管。因此,它是可取的设置距离尽可能大如果有足够的保证金场效应晶体管电压等级。最大的占空比(Dmax) Vds公司应该是确定的,来了65 ~ 70%的额定电压考虑场效应晶体管电压峰值所引起的漏电感。在案件的650 V额定MOSFET,是典型的设定距离是0.45 ~ 0.5为通用输入范围的申请。因为当前的模式变换器控制操作原因与谐波振荡CCM的占空比大于0.5,设定距离小于0.5,全球基金中国国家协调委员会。 (4)第四步：确定变压器一次侧电感(Lm) 运行变化之间的关爱DCM的负荷条件与输入电压是不同的。对于操作方式,最糟糕的情况下设计电感的变压器一次侧(Lm)是全负荷和最小输入电压条件。因此,在这种情况下,激光束得到 在v直流按照方程最小(3),距离被指定在第三步,脚被指定在第一步、fs的开关频率平衡的设备和KRF波纹因素是满了负荷和最小输入电压条件下,定义为如图6。对DCM操作,KRF = 1连铸结晶器操作KRF 1。波纹的因素是密切相关的与变压器的大小和RMS值的MOSFET电流。没有传导损失MOSFET通过减少可以减少。 一旦Lm确定后,最大的峰值电流和RMS场效应晶体管的电流在正常的工作条件下得到的结果 在以及Lm方程(1)、