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单晶棒氧施主对电阻率的影响及异常棒划线 江苏阳光晶源科科技有限公司 技术部 2010年8月26日 P型单晶圆棒截面电阻率现象描述 * 1. 截面电阻率较多呈现中心高四周低的现象。 2.个别圆棒截面出现中心反型（N型）边缘P型现象。 3.高阻（大于目标电阻率）以及反型 现象较多出现在单晶棒头部。 氧施主产生原理 1、氧的由来： 氧主要是在晶体生长可程中,由于晶转、埚转、熔体中热对流等因素导致将坩埚中氧带入熔体中，再通过晶体生长进入晶体中。 SiO2 +Si=2SiO 2、氧施主产生过程以及对电阻率的影响： 在晶体降温过程 中，原来以间隙形式存在的氧（不显电活性）在450℃左右会聚集产生显电活性的SiO42- ，提供电子成为施主，称为氧施主现象。 3、氧施主与掺杂剂硼结合产生硼氧复合体： SiO42-+B+=BSiO4- 从而降低受主杂质B+含量，使晶体P型电阻率升高，当SiO42- 数目较多，甚至导致晶体反型成为N型。 * 氧施主的消除:退火 退火原理： 晶体在550℃时氧施主SiO42-开始分解，因此将晶体（或硅片）升温至650℃并恒温半小时后迅速冷却，快速跳过450℃可消除SiO42-施主作用，即退火。 退火后氧重新以间歇氧形式存在，不再提供电子，电阻率不再受其影响，而由主要载流子硼的浓度以及分布决定，恢复正常值。 * 头部电阻率易高甚至反型的原因 1、晶体头部氧高：由于氧的分凝系数大于1，所以晶体中的氧是呈线性下降的（其变化曲线还受拉晶过程中，坩埚中的氧不断析出、液面不断挥发影响）。氧含量高，容易聚集产生氧施主。 2、受晶体生长特性影响，刚开始时，晶体凸向下生长，中间先生长、边缘后生长，所以受分凝系数影响，中间的氧含量高于四周。 3、由于晶体头部在450℃停留时间较长，头部更容易产生氧施主作用，导致电阻率升高或者反型。 4、同时头部硼含量低，被氧施主相对补偿度大，易导致电阻率升高甚至反型。 5、同规格尺寸的石英坩，拉制单晶越大，其氧挥发量小，受氧施主影响更大。 * 电阻率异常圆棒的处理建议 1、电阻率异常的处理依据： 氧施主引起的电阻率异常，可以在电池生产线的扩散等工序中退火恢复到正常，不影响其使用。 单晶表面受氧施主影响不大，电阻率一般在目标以内。 2、对于P型单晶圆棒电阻率异常的判断建议： 截面高阻（6 Ω.cm)，中心N型边缘P型，表面电阻率正常。——氧施主现象，属正常现象可以不作反馈，当正常 品处理。 表面电阻率异常（高阻甚至反型）。——异常现象 * 掺镓（Ga）棒氧施主现象 1、镓（Ga）和硼（B）都是+3价元素，都是受主杂质，生产P型单晶。掺镓可避免硼氧复合体的产生，降低阻件的光致衰减。 2、在450℃左右，掺镓棒中的氧仍会聚集产生显电活性的SiO42- ，提供电子成为施主。 3、镓的分凝系数很小，头部浓度较底。被氧施主的相对补偿度更大，更易导致电阻率升高甚至反型。 * S型棒划线 1、在A处或者B处选取一处划线，同时两侧应满足划线要求。 2、不能满足两侧划线要求的情况下，按照“|AB | 在一段内，且该段长度尽量短”划线。 直径偏细划线1 * 1、在A处划线，同时两侧应满足划线要求。 2、不能满足两侧划线要求的情况下，按照“细径处在一段内，且该段长度尽量短”划线。 A 直径偏细划线2 A B 1、|AB | ≥125时，A处和B处分别划线，同时两侧应满足划线要求。 2、 AB | 125 时，按照“|AB | 在一段内，且该段长度尽量短”划线。 建议 在检测出问题棒后品管可先与单晶物测联系，确定问题棒是降级处理还是算损耗等，减少反馈次数。 * 谢谢 * * 这些现象与氧的分步以及氧施主有关。 * 施主：自由电子 受主：提供空穴接受电子。晶体中受主占主导—P型，施主占主导—N型。边缘硅与坩埚接触反映 * 杂质分凝，硼：0.85，氧1.25，磷0.35，镓0.008 * 表面受气流，散热等因素影响。总之，头部氧含量，冷却产生氧施主，退火可以消除。 * 掺镓的好处，光致衰减---硼氧复合体，降低少子寿命，降低功率输出，硼：0.85 镓：0.008 * 尽量短：125 * 有不足之处 * * 这些现象与氧的分步以及氧施主有关。 * 施主：自由电子 受主：提供空穴接受电子。晶体中受主占主导—P型，施主占主导—N型。边缘硅与坩埚接触反映 * 杂质分凝，硼：0.85，氧1.25，磷0.35，镓0.008 * 表面受气流，散热等因素影响。总之，头部氧含量，冷却产生氧施主，退火可以消除。 * 掺镓的好处，光致衰减---硼氧复合体，降低少子寿命，降低功率输出，硼：0.85 镓：0.008 * 尽量短：125 * 有不足之处 *