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金属学与金属工艺
维普资讯
应引起注意。 MPACVDdiamondfilms[J]
以上研究结果表明，在CH ／H，／Ar混合气体中加 als，1999，8(2—5)：220—225．
[2] Co~iganTD，GurenDM，KraussAR，eta1．Theeffectofni—
入氮气，对金刚石膜的晶体质量绝对是有害的。因此
trogenadditiontoAr／CH4plasmasonthegrm~h，morpholo~
为了得到大面积、高强度光学级金刚石膜，我们必须尽 andfieldemissionofullrananocrvstallinediamond：J]．Dia—
量减少因腔体泄漏和气体不纯而带来氮的污染程度。 mondandRelat．Mater．．2002，11(1)：4348．
4 结论 [3] VandeveldeT，NesladekM，QuaeyhaegensC，StalsI，Optical
emissionspectroscopyoftheplasma during C D diamond
(1)在直流等离子体喷射系统中，氮气在混合反
growthwithnitrogenaddition[J]．Thinsolidfilms，1996．
应气体中的加入，对金刚石膜的质量、形貌有非常显著
290—291：143—147．
的影响。少量氮气(N／C：0．06)的加入减小了晶粒尺
[4] AhmedW，RegoCA，CherryR．eta1．CVDdiamond：control—
寸，即细化了晶粒。然而随着氮气加入量的增加(N／C lingstructureandmorpholo~[J]．Vacuum，2000，56(3)：
= 0．12～0．22)，金刚石膜的晶粒尺寸明显变大：大量 153—158．
氮气的加入 (N／C=0．68)则明显恶化金刚石膜的质 [5] VandeveldeT，NesladekM，QuaeyhaegensC，StalsL．Optical
emissionspectroscopyoftheplasmaduringmicrowaveCVD
量。同时氮的加入促进了柱状晶的生长，不利于力学
ofdiamondthinfilmswithnitrogenadditionandrelationto
性能的提高。
thethinfilmmorphology[JI．Thinsolidfilms，1997，308—309
(2)N／C比率在0和0．12范围内，氮气促进 1l0： (1-4)：154—158．
取向的金刚石膜的生长；N／C比率在0．20和0．68范围 [6] StieglerJ，BergmaierA，MichlerJ，eta1．Theeffectofnitro—
内
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