IGBT的驱动与保护技术(打印版).doc

IGBT 的驱动与保护技术 ????1 ． IGBT 的驱动条件驱动条件与 IGBT 的特性密切相关。设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和 ???dUds ／ dt 引起的误触发等问题。 ???? 正偏置电压 Uge 增加，通态电压下降，开通能耗 Eon 也下降，分别如图 2 － 62?a? 和 b 所示。由图中还可看出，若十 Uge 固定不变时，导通电压将随漏极电流增大而增高，开通损耗将随结温升高而升高。 ???? 负偏电压一 Uge 直接影响 IGBT 的可靠运行，负偏电压增高时漏极浪涌电流明显下降，对关断能耗无显著影响，－ Uge 与集电极浪涌电流和关断能耗 Eoff? 的关系分别如图 ?2 － 63?a? 和 ?b 所示。 ???? 门极电阻 Rg? 增加，将使 IGBT 的开通与关断时间增加；因而使开通与关断能耗均增加。而门极电阻减少，则又使 di/dt 增大，可能引发 IGBT 误导通，同时 Rg 上的损耗也有所增加。具体关系如图 2-64 。 ? ??? 由上述不难得知： IGBT 的特性随门板驱动条件的变化而变化 , 就象双极型晶体管的开关特性和安全工作区随基极驱动而变化一样。但是 IGBT 所有特性不能同时最佳化。 ???? 双极型晶体管的开关特性随基极驱动条件（ Ib1 ， Ib2 ）而变化。然而，对于 ?IGBT 来说，正如图 ?2 － 63 和图 ?2 － 64 所示，门极驱动条件仅对其关断特性略有影响。因此，我们应将更多的注意力放在 IGBT? 的开通、短路负载容量上。 ???? 对驱动电路的要求可归纳如下： ????l ） ??IGBT 与 ?MOSFET 都是电压驱动，都具有一个 ??2 ． ?5 ～ 5V? 的阈值电压，有一个容性输入阻抗，因此 IGBT 对栅极电荷非常敏感故驱动电路必须很可靠，要保证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与 IGBT 的连线要尽量短。 ????2 ）用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压 Uge, 有足够陡的前后沿，使 IGBT 的开关损耗尽量小。另外， IGBT 开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率，使 IGBT 不退出饱和而损坏。 ????3 ）驱动电路要能传递几十 ???kHz 的脉冲信号。 ????4 ）驱动电平十 Uge 也必须综合考虑。＋ Uge 增大时， ?IGBT? 通态压降和开通损耗均下降，但负载短路时的 Ic 增大， IGBT 能承受短路电流的时间减小，对其安全不利，因此在有短路过程的设备中 Uge 应选得小些，一般选 ???12 ～ ?15V 。 ????5 ）在关断过程中，为尽快抽取 ?PNP 管的存储电荷，须施加一负偏压 Uge,?? 但它受 IGBT 的 G 、 E 间最大反向耐压限制，一般取 --1v — --?10V 。 ???6 ）在大电感负载下， IGBT 的开关时间不能太短，以限制出 di/dt 形成的尖峰电压，确保 IGBT 的安全。 ???7 ）由于 ?IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合，故驱动电路与控制电路在电位上应严格隔离。 ?8 ） ??IGBT 的栅极驱动电路应尽可能简单实用，最好自身带有对 IGBT 的保护功能，有较强的抗干扰能力 集成化 IGBT 专用驱动器 EXB841 现在，大电流高电压的 IGBT 已模块化，它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外，现在已制造出集成化的 ?IGBT 专用驱动电路。其性能更好，整机的可靠性更高及体积更小。 　 　 集成化驱动电路的构成及性能 下面以富士电机公司 EXB 系列驱动器为例加以介绍。 ?EXB850 （ 851 ）为标准型（最大 ?10kHz 运行），其内部电路框图如图 2 － 65 。所示。 EXB840 （ 841 ）是高速型（最大 ?40kHz 运行），其内部电路框图如图 ?2 － 65b 所示。它为直插式结构，额定参数和运行条件可参考其使用手册。 ????EXB 系列驱动器的各引脚功能如下： ???? 脚 1 ：连接用于反向偏置电源的滤波电容器； ???? 脚 ????2 ：电源（ ?? ＋ ??20V ）； ???? 脚 3 ：驱动输出； ???? 脚 4 ：用于连接外部电容器，以防止过流保护电路误动作（大多数场合不需要该电容器）； ???? 脚 5 ：过流保护输出； ???? 脚 6 ：集电极电压监视； ???? 脚 7 、 8 ：不接； ???? 脚 9 ：电源； ???? 脚 ??10 、 ???11 ：不接； ???? 脚 ??14 、 ???15 ：驱动信号输入（一，＋）； ???? 由于本系列驱动器采用具有高隔离电压的光耦合器作为信号隔离，