基于单片机的温度检测与控制器的设计外文翻译.docVIP

VTP，所有的检测放大器晶体管（M1，M2，M3和M4）都偏向于饱和模式。M1和M3（M2和M4）的栅源电压几乎是相同的，因为相同的电流流过每一个分支。当变低时，左右位线具有相同的电位，。由于位线电压相同，位线负载（）和电容（）的电流也相等。由于存储单元细胞获取电流{），成数量的电流（）在右边流动，以保持位线电压是相等的。因此，目前DL和线之间出现了差异。位线负载电容的传感速度几乎是独立的，因为BL和没有电容放电操作。因此，BL和不需要预充电和均衡操作，从而导致速度和周期时间的损失。图10.39所示电路的开环增益表示为 gm(m1)，gm(m2)，gm(m3)和gm(m4)是M1，M2，M3和M4，分别。电流检测放大器的一个缺点是大于电压检测放大器的功耗。 “这些放大器通常用于在高速SRAM和高密度比如由于数据线的大负载电容256 MB DRAM（和如图.10.15）。 14.4 非易失性存储器如DRAM和SRAM的MOS内存结构的缺点是，在没有电源的情况下导致的数据丢失。为了克服这个问题，各种非易失性和可编程（除掩模ROM）内存已提出。最近，快闪记忆体的基础上浮动门的概念已成为最流行的非易失性存储器，由于其小单元尺寸和更好的功能。因此，我们将详细描述的基本结构和操作掩模ROM和在本节中的快闪记忆体。 只读存储器阵列，也可以被看作是一个简单的组合的布尔网络为每个输入组合，即产生一