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2012 光电子技术复习考纲 题型分布： 一、选择题（2 分*10=20 分） 二、填空题（1 分*40=40 分） 三、简答题（5 分*4=20 分） 四、计算题（2~3 题共 20 分） 光电系统的常用光源 1、可见光在电磁波谱中的范围 38~0.78μ m或者380~780nm 2、辐射（光）通量，辐射强度（光强度）的定义（立体角的概念）光谱光视效率是辐射度与光度学单位换算的函数（11—1.14） 计算重点 lm、cd、lx 分别是什么光度学物理量的单位？ 黑体的概念，描述黑体的普朗克公式与维恩位移定律的关系 作为自然光源的太阳辐射在大气层中有哪几个典型的分子吸收峰 白炽灯辐射在可见光区域中能量只占 6%~12%，说明其能量损失大 汞灯中汞的气压越高，汞灯的发光效率也越高，发射的光也由线状光谱 向带状光谱 过渡 钠灯的两条谱线有什么特点，有何应用价值（除用作单色光源外，还可 作为光谱仪 器的定标校准设备） 称为“小太阳”的为氙灯，用于码头，广场等大面积照明的是长弧氙 灯 最常见的固体激光器——Nd3+：YAG 激光器，该激光器的基频波长， 倍频波长， 三倍频波长。图 15 LD 的调制特性 LED 与 LD 的区别，GaN 的有源区是 INGaN 多量子阱，可发蓝光和 紫光 LED 发光电路（图 35）是正向偏置电路 计算练习 3 –1.5 光辐射的调制 何为光辐射的内调制和外调制 机械调制的特点：寿命短，体积大，调制频率较低，然而可以实现全波 段调制 （任何光谱） 双折射现象是电光调制的物理核心， 线性电光效应与二次电光效应的概 念 纵向电光效应和横向电光效应的切割方式和光路摆放方式的区别， 半波 电压计算式 的区别，由此得到什么结论 电光晶体材料的选用原则， ：电光系数大，较高透过率，光学均匀性好， 耐高压。。 。。 典型的晶体 KDP，铌酸锂 声光效应的概念，声光效应的两种类型，声光介质的品质因数的计算 磁光调制的过程， 并且根据磁致旋光的非互易性说明光隔离器的工作原 理 光辐射探射器 光辐射探测器所涉及的物理效应总体分为光热效应和光电效应， 其中光 热效应的典 型器件是热敏电阻和热释电探测器， 光电效应又可分为外光电效应和内 光电效应， 外光电效应的典型器件为光电倍增管， 而内光电效应再细分为光电导效 应和光伏效 应， 光电导效应的典型器件是光敏电阻， 光伏效应的典型器件为光电二 极管、光电 池、光电三极管、光电场效应管、PSD、CCD 等，所以说大多数的最 广泛的光辐射 探测器是属于光伏型光电探测器。 光热探测器的特点 载流子因浓度不均匀而发生的定向运动称为扩散， 载流子受电场作用所 发生的运动 称为漂移 光电导效应的概念 响应时间 P60 光电发射体应具备的三个基本条件 P65 光探测器的三大性能参数：光电特性，光谱特性，伏安特性 P76~P78 光敏电阻光敏面做成蛇形的原因 P86 从 118 式分析结型光电器件的开路电压、短路电流及各种具体器 件的伏安特 性所在的象限问题 PIN、APD 光电三极管是光电二极管与三极管的合成 光电位置探测器 PSD 的位置检测原理 P112 图 77 ，式子 158 的推 导 第四章 光电成像器件 利用内光电效应进行光电转换的摄像管统称为视像管 摄像管如何利用光电靶与电子枪拍摄物象成视频信号 摄像器件的光电转换特性中的γ 特性 CCD 的结构与工作原理、电荷转换效率、工作频率 CMOS 与 CCD 的性能比较 微通道板 MCP 是一种大面积微通道电子倍增管。第二代像增强器，第 三代像增强 器 第五章 光存储器 光盘的大分类 光盘存储器的工作原理，图 2 光盘的读写原理， 其中凹坑的深度如何设置才能使得反射光的强度依有 无凹坑而变 化 光盘制作的 5 道工序 可檫写式光盘包含哪两种主要的技术， 其中光磁技术如何实现信号读写 第六章 平板显示器件 1、液晶分子排列的三种类型 2、液晶显示器从 TN-LCD 到 STN LCD 发展的必要性 3、AMLCD 中的 TFT LCD 是实行液晶显示技术的主流 4、OLED 显示的特点，PDP 显示器的特点 5、PDP 显示的物理原理 6、DLP 投影显示的核心部分，DMD 如何显示数字灰度等级 7、单片式投影机