课题七 功率放大电路和场效应管放大电路.ppt

15.8.2 互补对称放大电路 1. OTL电路(乙类) 15.9 场效晶体管及其放大电路 15.9.1 绝缘栅场效应管（MOSFET） 1.2 耗尽型绝缘栅场效应管 2） N沟道耗尽型管工作原理 耗尽型 1.3 MOSFET的主要参数 1.4场效应管与晶体管的比较 1.5 各种FET特性比较 1.5 各种FET特性比较 1. 自给偏压式偏置电路 ID/mA UDS/V 0 UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 可变电阻区 恒流区 截止区 (1) 截止区 条件:UGS? UT 特点:ID=0 (3) 放大区（恒流区） UGS UT ，且UDS≥（UGS－UT） 特点: UDS??ID不变 场效应管相当于一个压控电流源 (2) 可变电阻区 UGS UT ，且UDS≤（UGS－UT） 特点: UDS??ID? 场效应管相当于一个压控可变电阻 N型衬底 P+ P+ G S D 符号： 结构 3) P沟道增强型 加电压才形成 P型导电沟道 增强型场效应管只有当UGS ? UT时才形成导电沟道。 结构 G S D 符号： SiO2绝缘层中 掺有正离子 预埋了N型 导电沟道 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。 1 ) N沟道耗尽型管结构 UGS= 0，ID =IDSS。 UGS 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。 当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失， ID= 0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的UGS称为夹断电压，用UP表示。 UGS 0，导电沟道变宽， ID 增大； 3) N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 夹断电压 耗尽型的MOS管vGS= 0时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。 UP 转移特性曲线 0 ID/mA UGS /V -1 -2 -3 4 8 12 16 1 2 UDS=常数 U DS UGS=0 UGS0 UGS0 输出特性曲线 0 ID/mA 16 20 12 4 8 12 16 4 8 IDSS 可变电阻区 截止区 恒流区 4) P 沟道耗尽型管 N型衬底 P+ 结构 P+ 符号： G S D 预埋了P型 导电沟道 SiO2绝缘层中 掺有负离子 G S D G S D 增强型 N沟道 P沟道 G S D G S D N沟道 P沟道 G、S之间加一定 电压才形成导电沟道 在制造时就具有 原始导电沟道 源极 漏极 栅极 1) 开启电压 UT：增强型MOS管的参数 2) 夹断电压 UP： 3) 饱和漏电流 IDSS： 耗尽型 MOS管的参数 4) 低频跨导 gm：表示栅源电压对漏极电流 的控制能力 极限参数：最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。 双极型三极管 单极型场效应管 电流控制 电压控制 控制方式 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电 类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道 放大参数 rce很高 rds很高 输出电阻 输入电阻 较低 较高 热稳定性 差 好 制造工艺 较复杂 简单，成本低 对应电极 B—E—C G—S—D MOS场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 MOS场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 CE BJT FET CS CC CD CB CG(较少使用) 1 耦合电容Cb1 用普通电容，通常0.01uF。 2 电源电压VDD较高（+18V）。 3 电路中输入端所用电阻Rg较高(M?）。 4 电路需设静态工作点Q（VGS、VDS、ID） FET放大电路特点： 15.9.2 场效应管放大电路 栅源电压UGS是由场效应管自身的电流提供的，故称自给偏压。 UGS = –RSIS = –RSID +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uO IS + _ UGS T为N沟道耗尽型场效应管 2.1 FET的直流偏置电路 该电路对于增强型FET不能适用！ 注意啦