碳化硅、硅基多层膜、颗粒膜材料制备及其光致发光性质研究.pdf

摘型 摘要 硅是目前世界上使用最广泛的半导体剌料，已成为微F色子集成电路的主流。 但是随着芯片尺寸和线度的缩小，较小的电子漂移速度(105m／s)越来越成为芯 片速度提高的瓶颈。因此用速度最快的光信号(108m／s)代替原来的电信号进行 信息的传输和处理，便成为人们正在考虑的解决方法。要实现光电集成，就必须 有高效的发射和接受光信号的光电子器件。但是si是一种间接带隙半导体材料， 体内电子空穴的复合需要声子辅助，所以其发光效率很低，因此，寻找硅基发光 的有效途径成为目前急需解决的问题。 本论文回顾了近年来对于硅基纳米材料发光特性方而的研究进展，并结合现 有的实验条件，做了以下几项工作： 1．利用与微电子工艺相兼容的PECVD技术成功的制餐了纳米SiC／Si多层膜， 系统的研究了退火温度对多层薄膜时间分辨光致发光特性的影响。利用截 面透射电子显微镜技术分析了a—SiC。：H／nc—Si：H多层薄膜的结构特性；通过 对晶化样品的时间分辨光致发光谱的研究，结果表明：随着退火温度的升 高，发光峰位置开始出现一些红移现象，当退火温度为900”C时，样品的 发光强度和发光衰减时间分别达到最大和最小值，随着退火温