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绝缘栅双极晶体管([GBT)低温特性研究
绝缘栅双极晶体管(IGBT)低温特性研究
摘要
绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有工作频率高、处理功率大和驱动电路简单等优点，因而在中
大功率领域有着广泛的应用。随着超导技术的发展和人类太空探索活动的频繁，IGBT在低温下
K～300
的特性日益引起人们的关注。本文对1GBT在77 K之间的低温特性进行研究。
本文发展了功率器件在低温环境下的参数测试方法，设计了lOBl参数测试系统，对穿通型
体应用。深入探讨了IGBT低温特性对应用可能产生的影响。
本文基于IGBT器件制造工艺和载流予输运特性，较为完整地分析了IGBT低温特性物理机
理，修正了目前存在的关于疹杂不完全电离导致PT-IGBT器件低温性能退化的观点，探讨了跨导
和门槛电压突变的可能原因。
本文在总结并改进硅材料主要参数在低温区的温度模型的基础上，实现了NPT—IGBT关键参
数随温度变化趋势的计算机仿真，仿真结果与实验结果取得一致。
关键词：[GBT，NPT，PT，低温，仿真
丝兰塑翌堑曼竺鲎!!!!!!堡望堑丝里窒一————
InsulatedGate
behaviorof
The Bipolar
low
temperature
Yulin
Zhang
Electrical
and of
New Engineering)
(Theory Technology
Professor
Directedby QiuMing
ABSTRACT
TheInsulatedGate a semiconductordeviceable
BipolarTransistor(IGBT)ispower
to with oftheIGBT
high development
managehighpower frequency．Thegreat
has in
characteristicsintherecent madeita devicethe
years dominating middle·high
tothe useof in areasof
field．Dueincreasingsuperconductorsmajor
powerapplication
and isofinteresttoconsiderthe of
electronics，it possibilityusing
powersystempower
IGBTsatthe of of materials．A
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