LDMOS的可靠性和温度特性的研究.pdf

摘 要 随着功率集成电路飞速发展，功率半导体器件也取得了飞快的进步，市场应 用于功率集成电路。这是因为：一方面LDMOS具有很高的击穿电压和良好的导 通特性；另一方面，其栅、源和漏电极都在表面引出，从而非常容易和标准CMOS 工艺相兼容，生产成本低。因此，近年来体硅LDMOS得到广泛的关注和研究。 论：艾选题来自于863计划重大专项课题“高压驱动电路模块”。等离子显示 屏PDP选址驱动芯片需要用于高压、大电流的高压晶体管去驱动和激发等离子 显示屏工作。在整个PDP的成本中，其驱动电路占了很大的一部分，而选址芯 片和扫描芯片又是驱动电路中成本最高的，因此对选址和扫描芯片的研究具有 重大的意义。随着显示屏技术的不断提高，对选址驱动芯片的高压要求已经由 晶体管设计的好坏将直接影响芯片性能的优劣。在工艺实现上，国外主要采用 外延片来制各PDP选址驱动芯片，这种工艺成本较高。采用单阱非外延的高低 压兼容工艺，用阱作为LDMOS的漂移区，则可以降低生产难度和成本。论文针 软件，结合器件的导通电阻、击穿电压、饱和电流等电学特性的相互影响，对 器件结构的主要参数，包括漂移区的长度，浓度、结深以及场板的长度等进行 了模拟和分析，确定LDMOS器件的各个结构参数。最终设计出满足实际需求的 LDMOS器件。 器件模型是电路仿真巾不可缺少的重要元素，电路仿真结果能否正确的反映 高压集成电路的电学特性，很大程度上依赖于所选取的器件模型的准确程度。 由于高压LDMOS结构的多样性和复杂性，目前用于电路仿真的高压器件模型相 当有限。因此建立能够用于SPICE仿真的高压器件模型成为亟待解决的问题。 的计算公式，改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式；建立了LDMOS器件电容 的物理模型，为器件的大信号、瞬态分析提供了依据。 当器件的基本参数设计完毕后，器件的可靠性是设计者随之需要考虑的问 题。可靠性是一个十分综合的概念，它牵涉到器件的结构、制造工艺以及应用 条件等因素，原来的设计需要进～步加以优化。针对LDMOS的可靠性问题，论 大小以及功耗的分布情况对器件性能也有重要的影响。功耗增大使器件发热量 增加，温度上升，导致器件的可靠性变差。论文建立了LDM08的宏模型，并利 的功耗进行分析和研究；还讨论了LDMOS的安全工作区问题。 在高温微电子学的研究领域，制造高温硅器件和集成电路是一件顺其自然 的事。国外对这一方面的工作开展得较早，自70年代末起，一些学者就积极地 开展了硅材料高温器件和集成电路的研究。但早期的工作的主要目标是设计与 制作双极型高温器件和厚膜集成电路。1984年后，开始有一些学者对高温MOS 晶体管和cMOS集成电路进行了系统研究。他们对MOS晶体管的阈值电压、表面 载流子的迁移率、亚闽值电流、漏源电流、泄漏电流等参数在25。C～300。C环境 下的变化情况给出了高温电学特性方程和经验公式。80年代末，人们对高温大 率器件的历史舞台，并得到越来越多的应用。 对LDMOS的特性在不同温度下模拟和分析是精确估计器件性能的关键。在 这种背景下，研究功率器件LDMOS的温度特性，得到LDMOS器件温度的模型， 开发出一套LDMOS器件在高温下的设计方法具有非常重要的意义。论文在等温 前提下，研究LDMOS阈值电压、迁移率、饱和电流、泄漏电流和导通电阻的温 度效应。给出了阈值电压的一个最小均方逼近展丌的线性表达式，得到了LDMOS 阈值电压温度系数可以按一个常数来处理的结论，并导出其表达式：在给出高 的表达式。论文所建模型的计算结果和MEDICI软件仿真结果基本吻合。 关键词：LDMOS、高压、功耗、可靠性、温度特性 II Abstract Inrecent years，powersemiconductordevicesare makinggreat withthefast of progressrapidly developmentpowerintegratedcircuits， and inmarketsar