正装_倒装结构GaN基LED提取效率分析.pdfVIP

第 30 卷 　第 3 期 电 子 器 件 Vol . 30 　N o . 3 2007 年 6 月 　　　 Chinese J our nal Of Elect r on Devices 　　 J un . 2007 Analysis of Light Extraction Eff iciency f or FaceUp and FlipChip Ga NBased L ED L I U Z hiqi ang , WA N G L i angchen ( ) I ns t i t ute of S em icon d uctor , Chi nese A ca demy of S cience , B eij i ng 100083 , Chi na Abstract :The cr ucial f actor s of light ext raction efficiency for GaNba sed light emit ting dio de s were analyzed f ro m t he point s of geo met ric an d p hy sical view . Ba sed on t he re sult of t heoretical analy si s , t he light ex t raction efficiency of faceup and flipchip L ED were simulat ed by mean s of Mont eCarlo ray t racing met h o d . The re sult indicat ed t hat flipchip st ruct ure can imp rove t he efficiency of GaNba sed L ED , wit h re sp ect to f aceup st ruct ure ,flipchip st r uct ure can imp roved light ext raction efficiency by a f actor of 1. 39～1. 16 con sidering t he t ran smi ssivit y of t ran sp arent P cont act layer change f ro m 0 . 6 to 0 . 9 . Key words :GaN ba sed L ED ; light ext raction efficiency ; Mont e - carlo ; simulation EEACC :4260D 正装 、倒装结构 Ga N 基 L ED 提取效率分析 刘志强 ,王良臣 ( 中科院半导体研究所 集成技术中心 ,北京 100083) 摘 　要 :从几何和物理光学角度分析了影响 GaN 基 L ED 提取效率的因素 ,并以理论分析为基础 ,利用 Mont eCarlo 光线追 踪的方法 ,对 GaN 基 L ED 的提取效率进行模拟 , 比较不同器件结构对 L ED 提取效率的影响. 模拟结果表明 ,采用倒装结构可 以显著提高 GaN 基 L ED 的提取效率 ,Ni/ Au 透明电极透射率为 0 . 6～0 . 9 时 ,相对于普通正装结构 ,倒装结构可以使 L ED 提 取效率提高 39 %～16 %. 关键词 : GaN 基 L ED , 提取效率 , Mont eCarlo , 模拟 中图分类号 :TN312 . 8 　　 文