氢化非晶硅薄膜的直流和射频磁控溅射法制备及其表征.pdf

摘要 目前，硅薄膜太阳能电池的研究已成为国际光伏领域研究热点，硅薄膜太 阳能电池相对于单晶硅和多晶硅太阳能电池而言，具有耗材少，成本低的特点， 尤其是廉价衬底的引入，使硅薄膜太阳能电池在成本控制方面具有更强的市场 竞争力。非晶硅薄膜太阳能电池制作工艺简单，衬底温度低，易于应用集成工 艺和大面积生产，能够与建筑材料相结合构成光伏建筑一体化系统。它是硅薄 膜太阳能电池中最具发展前途的一类电池，因此，非晶硅薄膜材料备受关注。 本论文采用直流和射频磁控溅射方法在玻璃基片上沉积氢化非晶硅 叶变换红外光谱仪(FTIR)、显微拉曼光谱仪(Raman)、紫外．可见光透射光谱 仪(Uv-VIS)测试了薄膜的物相结构、膜厚、硅氢键和透过率，研究了溅射功 率、基片温度和氢气分压对薄膜的结构和性能的影响。结果表明： 1)随着溅射功率的增加，薄膜的沉积速率会逐渐增大，沉积速率的增长 速度随着功率的增加先增大后减小；溅射功率的增加使薄膜变厚，可见光范围 内的总透过率逐渐降低；随着溅射功率的增加，薄膜的光学带隙在逐渐减小。 2)在300℃以内，基片温度的升高，基本不会影响薄膜的沉积速率、可见 光范围内的总透过率和光学带隙。 3)在溅射气体氩气压力一定的情况下，提高氢气分压能够使薄膜的沉积 速率减小；沉积速率的减小，相同时间里薄膜变薄，在可见光范围内的总透过 率有一定程度的增加；随着氢气分压的增加，薄膜的光学带隙逐渐增加。 4)氢化非晶硅薄膜的x射线衍射谱和Raman散射谱分析证明，薄膜为非 晶态，但是通过对紫外．可见光透过率光谱计算，得到薄膜的光学带隙在 1．9~2．0eV左右，因此，可以认为，薄膜是以非晶态为主，其间镶嵌了少量纳米 晶体的结构。 5)对比了直流溅射和射频溅射沉积硅薄膜的速率和形貌。直流溅射的平 均沉积速率明显大于射频溅射的平均沉积速率；射频溅射沉积的薄膜均匀性和 致密性要优于直流溅射沉积的薄膜。 关键词：直流和射频磁控溅射，氢化非晶硅薄膜，氢气分压，基片温度， 光学带隙 Abstract Thesiliconfilmssolarcells havebeenconcernedinthefieldofPVat present． with siliconsolar Comparedcrystal cellsand solar polysiliconcells，the silicon-basedsolar film cellshavelesssiliconmaterials andmuch consumption lower oflow—costsubstratesmakesit more cost，especially,theapplication in siliconthinfilmsolarcellshavealotof competitivecost-contr01．Amorphous as fabrication．ItCannot bemadeatlow advantages，such simple only temperature on also decreasethefabrication cheapsubstrate，but and area is to