一维ZnO纳米结构的表面发光机理与调控研究.pdfVIP

科技计划成果 E—恤ail：cyj@csta．盯g．cn＼崔英俊＼编辑＼第08期＼2011年＼中国科技成果 CHINASCIENCEANDTECHNOLOGYACHIEVEMENTS 一维ZnO纳米结构的 表面发光机理及调控研究 文／何海平(浙江大学材料科学与工程系，浙江杭州510027) DOI：1O．5772／j．i咖．1009—5659．2011．08．012 发光的影响。在此基础上，采用原子层沉积的方法，生 长ZnO／Al，0，一维核一壳结构，开展纳米ZnO表面钝 Zn0是一种宽禁带半导体材料，在紫外及紫蓝光发 化研究，实现对其表面发光性能的调控。 光二极管(LED)、激光二极管(LD)等光电器件方面具有取得的成果： 很大的潜在应用前景。近年来，纳米ZnO材料因其突 (1)本项目采用金属有机化学气相沉积(MOCVD) 出的光电性能、丰富的结构形态以及易于生长等特点， 等方法生长ZnO纳米线阵列，建立了成熟的工艺，通 成为纳米发光材料与器件研究中新的热点。其中，一维 过调节有机源流量、生长时间、温度等参数，实现znO Zn0纳米结构如纳米线、纳米棒由于形貌规则且易于生 纳米线尺寸和形貌的可控生长。纳米线直径一般为几 长整齐的阵列，有望在纳米LED、纳米激光器及其器件 十纳米到几百纳米，最小可达10nm，长度从～1岫 集成方面获得应用。 到一2pm。其形状规则，显露平整的顶面和侧面，并可 由于比表面很大，纳米ZnO中的表面效应将显著增通过控制进行尖端生长(图la)。 强。众所周知，随着器件趋于小型化，表面态对纳米光 (2)选用不同直径的Zn0纳米线阵列，利用原子层 电子器件的性能影响也越来越显著和重要。已有大量实 沉积(ALD)在其表面包覆一层均匀的Al，0，薄层，研究 验证据表明，表面效应对纳米ZnO的发光性能有很大影 包覆前后的发光光谱。结果发现：包覆后，表面激子发 响。因此，对一维Zn0纳米结构中表面态对光学性质的 光明显减弱，与文献报道结果不同。根据对灿，O，一ZnO 影响进行系统深入的研究，并进一步实现对其表面态发 界面处化学态的分析，提出表面钝化模型，解释了这一 光行为的调控，无论对深入理解纳米尺度下低维半导体 现象。该结论对深入理解表面态发光提供了启示。另外， 材料中出现的新的基础科学问题，还是对开发一维纳米 研究还发现，学术界一直颇有争议的位于3．3lev的发 Zn0材料的光电器件应用，都具有重要的意义。 光峰不是源于表面态，而是起源于结构缺陷(图lb)。这 目前国际学术界对纳米znO中与表面态有关的许多些结果有助于澄清目前学术界关于这些问题的争论。 基础科学问题的研究还处于初始阶段。对纳米ZnO进行 有效的表面钝化处理的研究也鲜有报道。对纳米ZnO表 面进行钝化，并研究钝化前后光学性质的差异，不仅有 助于揭示表面效应的机理，也可对纳米ZnO发光性质进 行调控，并且有可能根据需要对某些表面效应进行抑制 或利用，为未来的器件应用奠定基础。 本项目以垂直排列且尺寸可控的ZnO纳米线阵列为 图1(a)zno纳米线阵列圈1(b)包覆前后zno纳米线 研究对象，主要利用稳态、瞬态及低温发光及单根纳米 低温发光谱比较 线光电导衰减等实验手段来揭示表面态对纳米ZnO发光 (3)在ZnO纳米结构中观察到ZnO带边发光和深 性质的影响及其物理机制，并阐明纳米线尺寸对表面态 能级发光均出现反常的负温度淬灭效应，即随着温度升 ·国家自然科学基金项目。 万方数据 科技计划成果 中国科技成果＼2011年＼第08期＼ CHlNASClENCEANDTECHNOLOGYACHlEVEMENTS 高发光强度不是正常下降，而是持续增强。我们建立了 (4)对znO