块体铜和镀铜硅基底碳纳米管强流脉冲发射发射能力的比较.pdfVIP

块体铜与镀铜硅基底碳纳米管强流脉冲发射发射能力的比较 曾凡光H 麻华丽1 霍海波1 乔淑珍1 王淦平2 向飞2 l郑州航空工业管理学院数理系 河南 郑州450015； 2中国工程物理研究院 应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室 四川 绵阳621900 摘要：采用酞菁铁高温热解方法分别在块体铜基底和化学镀铜硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Cu-CNTs 和si／cu—cNTs)，并在20GW脉冲功率源系统中采用二极结构对其强流脉冲发射特性进行了研究。研究 m的脉冲电场下，阴极的峰值发射电流从Si／Cu-CNTS的5．27KA提 结果表明：在相同峰值为15．5V／u m的脉冲电场下，阴极的峰值发射电流从Si／Cu—CNTs的 极的发射电流峰值呈线性增加，在27．6rip 关键词：强流脉冲发射，碳纳米管，Cu基底，化学镀铜 1、 引言 碳纳米管(CNTs)自从发现以来u1，由于其具有纳米尺度的半径，极高的长径比，很高的机械强度 和良好的导电性能，被认为是极好的电子发射材料之一，而被广泛用于很多领域，如扫描探针显微镜、 真空微电子、微波放大管、电子显微镜、场发射显示器等晗{。。CNTs薄膜极好的电子发射能力使其在高 功率微波器件和高功率电子束加速器的电子源应用方面，具有重要的应用前景。为了提高CNTs的电子 发射能力和发射稳定性，作者曾在CNTs生长的硅基底上引入金属缓冲层，以金属缓冲层来减小碳纳米管 一导电基底之间的界面势垒和接触电阻，提高阴极的电流发射能力旧5。由于金属材料在电流传输能力和热 学性能方面均显著好于半导体材料，因此有望实现性能更高的冷阴极电子源。但关于两者比较的报道很 少见到，因此，研究块铜与镀铜基底上CNTs发射能力的比较，对于更好地利用CNTs冷阴极有重要的学 术价值。 本文研究了块体铜与化学镀铜硅基底上碳纳米管薄膜的强流脉冲发射能力，实验发现以块体铜代替 化学镀铜硅基底后，碳纳米管薄膜的强流脉冲发射强度有明显提高。 2、实验 铜基底为市场售工业T2铜板，直径为5cm，厚度为0．5mm，表面经3000#砂纸机械抛光。铜缓冲层采 Clll，直 用化学镀方法制备，所用硅基底为n型(100)单晶硅片，硅片单面抛光，电阻率为10-2_lO。3Q 径为2英寸。硅片经过清洗后在常温下施镀，镀液主盐为硫酸铜(浓度为2％)，施镀时间为1分钟。碳 0|。 纳米管薄膜采用酞菁铁高温热解方法制备u 薄膜形貌(Cu-CNTs薄膜，Si／Cu-CNTs薄膜)利用场发射扫描电镜(SEM，JEOLJsM一7001F))进行观 察，强流脉冲发射特性在20GW脉冲功率源系统中采用二极结构进行测试，强流脉冲测试系统示意图如 图1所示，系统最大输出电压为lMv，两极间距离为31mm，系统真空度为10≈Pa，脉冲宽度40ns。 1．阴极2．真空泵系统3．阳极 4．脉冲功率源系统 图1强流脉冲测试系统示意图 目(编号：2011ZF55015)、河南省基础与前沿技术研究计划项目(编号：112300410264) 通讯作者：曾凡光(1966一)，男，河南郑州，教授，博士，主要从事纳米电子材料与器件，(fgzeng@sina．com) 713 3、结果和讨论 由图2可以看出，CNTs生长方向各异，长度约数十微米，据报道，各异的生长方向可使其在强流脉冲发射 (a)Cu·CNTs (b)si／cu-CNTs 图2Cu．CNTs和SYCu．CNTs的SEM图像 图3给出了Cu—CNTs和Si／Cu-CNTs薄膜的强流脉冲发射特性测试曲线，脉冲峰值电场均为～15．5 v／pm，脉冲宽度为40ns，CI表示发射电流曲线，分度值为8．84KA／div，C3对应于两极间的脉冲电压曲 对应的峰值发射电流为5．27KA，在相同的峰值脉冲电场下，Cu-CNTs的发射电流明显高于si／cu—cNTs。