AlN_GaN分布布拉格反射器反射率的研究.pdfVIP

维普资讯 第 10卷 第2期 集关大学学报(自然科学版) Vol_10 No．2 2005年 6月 JournalofJimeiUniversity(NaturalScience) Jun．2005 [文章编号]1007—7405(2005)02—0164—05 A1N／GaN分布布拉格反射器反射率的研究 洪灵愿 ，刘 宝林 (厦门大学物理与机 电Z-程学院，福建 厦门361005) [摘要]从理论上推导出分布布拉格反射器 (DBR)反射率的计算公式，分析了GaN基材料 DBR反射 率与单层膜折射率、多层膜的对数 、单层膜的厚度等的关系，发现 20对 MN／GaN构成的 1／4波长 DBR的 反射率在 中心波长410nm下达到了0．9995，分析 了DBR反射率随单层厚度波动的影响，并发现随着正偏 差的增大 ，最大反射率对应的波长增大．相 同对数 AIN／GaN多层膜 的反射率 比MGaN／GaN多层膜的反射 率大，因此，MN／GaN比AIGaN／GaN更适合做反射器． [关键词]分布布拉格反射器 (DBR)；反射率；GaN；AIN；MGaN [中图分类号]TN201 [文献标识码]A O 引言 近年来 ，蓝光氮基半导体发光二极管 (LEDs) 和激光二极管 (LDs) 的研究已经取得很大 的进展 ，对发光二极管的工业生产和基础研究产生了重大的影响．1979年，Soda和 Iga等人首次成 功研制出垂直腔面发射激光器 (VCSELs)L6J，它的谐振腔面与结平面平行 ，发射光束垂直于腔面，所 以有源层的厚度就决定了增益区长度 ，致使它们的单程增益 比常规激光器小得多．为 了克服这一缺 点，目前可以用应变量子阱作有源区，同时采用分布布拉格反射器 (DistributedBraggReflector)以提 高腔内反射光的比重．文献 [7～9]报道 了用 DBR来提高 LEDs的输 出功率．文献 [10～14]报道 了AIGaN／GaNDBR的生长方法 ，并测量了DBR的反射率 ，测量值在 0．81～0．96之间．虽然 DBR 在生长工艺上取得了很大的进步，但是 目前还没有科研人员从理论上系统分析 DBR的反射率 ，并给 出解析式．本文从几何光学的角度出发 ，分析了DBR的反射率 ，推导出DBR反射率的计算公式，并 用matlab软件进行模拟实验 ，详细讨论 了GaN基材料 DBR反射率与单层膜折射率、多层膜的对数、 单层膜的厚度等的关系，在理论上和工艺上对 DBR的结构设计都有重要的指导意义． 1 原理与计算 已知光在真空和GaN材料的折射率 ，则光由GaN材料垂直人射到空气中的反射系数 r，可写为 r， = (凡 一凡。)／(凡 +凡。)=R ，其中凡。=1．0为真空中的折射率 ，凡=2．50为 GaN的折射率． 又由光在 AIN材料的折射率可知，光 由AIN材料垂直人射到 GaN材料 的反射系数 r = (凡 一 凡)／(凡 +凡)，其中凡=2．04为AIN的折射率． 光由AIN材料垂直进人GaN材料的透射系数t=2、／／凡凡l／(凡+凡)． [收稿 日期]2004—10—14 [基金项 目]福建省 自然科学基金项 目 (A0210006) [作者简介]洪灵愿 (1979一)，男，硕士生，从事半导体光电子器件及其制备工艺的研究．通讯联系人：刘宝林 (1963一)，男，教授，从事宽静带半导体、光 电子材料与器件研究．E—mail：blliu@xmu．edu．C／1 维普资讯 第 2期 洪灵愿等 ：A1N／GaN分布布拉格反射器反射率的研究 ‘165 · 图 1是一对 A1N／GaN材料模型，d，d 分别为 GaN材料和 A1N材料的厚度．设一束振幅为A，初相位为 。，圆频率为 ∞的