GaN基LED电流扩展对其器件特性的影响.pdfVIP

第23卷第6期 量子电子学报 Vbl．23NO．6 JOURNALOF ELECTRONICSNOV．2006 2006年11月 CHINESE QUANTUM 文章编号： 100-5461(2006)06—0872—04 GaN基LED电流扩展对其器件特性的影响 孙重清，邹德恕，顾晓玲，张剑铭，董立闽 宋颖娉，郭 霞，高 国，沈光地 (北京工业大学光电子试验室， 北京 100022) 摘 要：GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状N电极的器件在正向 电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状N电极和普 通电极进行了比较，在外加正向电流为20mA时，正向电压减小了6％，总辐射功率也略有提高，工作50小 时后，总辐射功率相差8％，验证了环状N电极结构有利于器件电流扩展，减少器件串联电阻，减少了焦耳热 的产生，提高了LED电光特性和可靠性。 关键词：光电子学；固态照明；环状N电极；总辐射功率；电流扩展 中图分类号：TN383 文献标识码：A 1 引 言 体照明工程还有一段很长的路要走。随着GaN材料生长技术的快速进步，近些年，LED器件在总辐射功 率和发光效率方面已经取得了很大的进步，极大的推动了LED的产业化进程[1|，使固态照明得以真正的 实现。现今，在GaN基LED的发展过程中主要存在三个方面的问题[2]=1)器件内量子效率的提高；2) 光提取效率的提高； 3)器件的电流扩展和散热。在器件的内量子效率和光提取效率和散热方面，国内外 已经发表了很多这类文章[3~6】，提出了很多提高效率的方法，诸如有源区结构优化、倒装焊技术的应用、 表面粗化和倒金字塔结构的提出等等。应用有效的封装结构和封装技术[7]使LED的散热特性得到进一步 提高。器件表面电极的结构Is]以及欧姆接触的制作对于改善器件电流扩展是非常重要的，通过优化电极 结构可以优化电流扩展分布，减少器件串联电阻，进而减少焦耳热的产生，以达到改善器件特性的目的。 本文将从两种不同的LED表面电极结构，来分析和比较这两种电极结构的器件，并且把器件倒装在 Si支架上，进行标准封装，对器件的电流电压曲线，电流总辐射功率曲线等进行测试和比较。 2器件的制作 FiE 层，然后在其上生长4000nm的N型N—GaN，掺杂浓度为5×1018，而后生长1nm的Ino．1Gao．9N和2 的N—GaN，中间含有10周期的超晶格，而后生长5对10nm的N—GaN和3nm的Ino．2Gao．8N作量子阱， 最后生长150 收稿日期：2005—09—08；修改日期：2005—10—22 E-maih sunchongqing@emails．bjut．edu．an 万方数据 第6期 孙重清等： 极。一种结构我们称作为A，一种我们称作为B，如图1所示：A所示版图制作的LED接通外接电流后， 外接电流从P电极流入器件，电流全部通过A中所示的圆弧1区流向N电极，从而这部分区域在器件工 作的过程中集聚了大量电流，导致这部分区域电流密度很大，这部分电流产生很大焦耳热，而在其他区域 由于电流分散的流向这个圆弧，使得其他区域的电流密度较圆弧区小很多，这部分产生的焦耳热较圆弧区 也小很多。在器件工作过程中，圆弧区温度过高，使得这部分区域的有源区非辐射复合增加，内量子效率 下降，并且过高的工作温度很容易损坏器件。而在其他区域流过有源区的电流密度将相对的要小，离圆弧 区域越远电流密度越小，这些区域有源区的辐射复合的能力减弱，而导致总辐射功率和发光效率的降低。 如图1中B所示版图，在A结构的基础上将N电极制作成环形的，这种情况下器件接通外接电流后，外 加均匀，避免了A中因电流集中在局部而产生很多焦耳热，温度过高而损坏器件。 A B