蓝宝石衬底的ECR等离子体清洗与氮化的RHEED研究_秦福文.pdfVIP

　 24 6 　　　　 Vol. 24, No. 6 　2003 6 CHIN ESE JOURNAL O F SEM ICONDUCT ORS June, 2003 ECR RHEED* 1, 2 1, 2 1, 2 3 秦福文 　顾　彪 　徐　茵 　杨大智 ( 1, 　116024) ( 2, 　116024) ( 3, 　116024) : RHEED() ECR( ) ,: ECR ,; ECR 20min , RHEED, GaN . : ; ; ; RHEED; GaN PACC: 6114H; 7280E; 8265 : TN312. 8　　　: A　　　: 0253-4177(2003) 06-0668-05 [4, 10] ,. 1　 , RHEED 、 GaN Ⅲ 、 . GaN AlN InN 6. 2eV ( AlN) 1. eV ( InN) , 2　 LED、 LD. 、、、 RHEED ,、 ECR [1, 2] . ( ECR-PEMO CVD). [6] Ⅲ. . , GaN α- , [3, 4 ] [5, 6] [7 ] 2 3 Al O () 、 GaAs 、 Si ,, ,. 3～ 5min., 2 4 ∶ 3 5= 3∶1 5～ 10 , GaN , H SO H PO min ,、, . GaN . ,, ., ., [ 8, ] 1000℃ . * ( No. 6 76008) 　　, 1 68,,, ECR-PEMOCVD. c