光电器件摸底试卷.docVIP

一、填空题 (每空2分，共32分) 1、半导体对光的吸收可分为本征吸收、杂质吸收、激子吸收、自由载流子吸收和晶格吸收。 2、已知本征硅材料的禁带宽度，则该半导体材料的本征吸收波长限 λL≦ 1.24/Eg=1.033μm 。 3、能够完全吸收从任何角度入射的任意波长的辐射，并且在每一个方向上都能最大限度地发射任意波长辐射能的物体，称为黑体，则黑体的吸收系数为1，发射系数为 1 　　 。 4、　PbS　 光敏电阻常用于火点探测与火灾预警系统。 5、光敏电阻的主要噪声有热噪声、 产生复合噪声　　 、低频噪声。 6、光敏电阻的暗电阻与其检测前是否被曝光有关的效应称为 光电导效应　 　　。 7、已知氦氖激光器的输出功率为3mW, ,则其光通量为　Φv=683*0.24*3mW=0.49176 lm 　　。 8、光生伏特效应是 少数载流子 导电的光电效应。 9、影响PN结硅光电二极管时间响应的主要因素是PN结区外载流子的 扩散时间τp 。 10、向负载提供电源的是 太阳能 硅光电池。 11、光电发射阴极单位时间发射出去的光电子数为，单位时间入射的光子数为，则量子效率为 N1/N2 。 12、在较强辐射作用下倍增管灵敏度下降的现象称为 疲劳 。 13、热电传感器件是将入射