原子层沉积技术中电场对ZnO薄膜结晶性能的调制研究.pdfVIP

原子层沉积技术中电场对ZnO薄膜结晶性能的调制研究／卢维尔等 ·255 · 原子层沉积技术中电场对 ZnO薄膜结晶性能的调制研究 卢维尔，李超波，夏 洋，李 楠，张艳清，赵丽莉 (中国科学院微电子研究所，北京 10O029) 摘要 采用一种可变电场调制的原子层沉积技术(E-ALD)制备了氧化锌(ZnO)薄膜。在前驱体脉冲时，通过 施加不同大小和方向的电压，可以对制备所得ZnO薄膜的晶体择优取向和结晶性能进行可控调制。当在锌源脉冲 时施加正电压 ，氧源脉冲时施加负电压，制备得到了C轴择优取向的ZnO薄膜。电场对薄膜的调制机理为：当在腔室 内施加电场时，极性的前驱体分子受到电场偶极矩的作用，使得分子发生偏转并且沿着电场线方向加速地向衬底运 动，这对衬底表面化学反应的强度以及发生反应后分子的排列产生影响，进而影响到制备所得薄膜的结构和性能。 这种E-ALD技术为半导体薄膜的制备提供 了一条新的途径，有望制备出特定性能的薄膜材料。 关键词 ZnO薄膜 原子层沉积 可变电场 择优取向 中图分类号 ：TB321；O69 文献标识码：A DependenceofZnO FilmsCrystalPropertiesonElectricFieldin AtomicLayerDepositionProcess LU W eier，LIChaobo，XIA Yang，LINan，ZHANG Yanqing，ZHAO Lili (InstituteofMicroelectronics，ChineseAcademyofSciences，Beijing100029) Abstract TheZnO filmshavebeenpreparedbyanelectricfield-assistedatomiclayerdepositionmethod (E- ALD)．ItisrevealedthatthedirectionsofelectricfieldduringtheprecursorpulsingwerecrucialfortheZnO films crystalorientationandstructure．TheZnO filmswithc-axispreferredorientationandthe1eastoxygenvacancydefect wereobtainedwhentheholderelectricpolaritieswerepositiveandnegativeduringtheDEZnandHz0 pulse，respec— tively．Itissupportedthatwhenelectricfieldwasappliedinthechamber，thetorquemayleadtotheprecursormole- cularalignmentsalongtheelectricfielddirection，which couldaffectthefilm growth processandtheninfluenceon theirstructuresandproperties．Thisvariableelectricfield-assistedALD approachwouldprovideanefficientprotocol forthegrowthofsemiconductorfilmswithdesignedproperties． Keywords ZnO films，atomiclayerdeposition，variableelectricfield，preferredorientation 来的一种全新的技术 ，是一种单原子逐层生长的方法 ，与化 0 引言 学沉积相比具有先天的优势，它充分利用表面饱和反应