转底炉法制备细晶粒铜最佳条件的研究.pdfVIP

· 212 · 材料导报 2008年8月第22卷专辑Ⅺ 转底炉法制备细晶粒铜最佳条件的研究 吴中亮 ，马瑞新 ，艾 琳 ，汪春平 ，孙 鹏。，张亚东 ，康 勃 ，王 目孔 (1 北京科技大学冶金与生态工程学院，北京 100083；2 金川镍钴研究设计院，金昌737102) 摘要 作为半导体用的铜靶材，其晶粒大小严重影响溅镀薄膜的品质，靶材晶粒的细化技术成为关键。依据转 底炉法原理制备 了一种片状铜，并对其晶粒尺寸的变化进行了研究，通过分析发现：坩埚底孔直径越小，底转盘转速越 快，底转盘传热越好；在底转盘冷却效果好的情况下，下落点离底转盘的边缘越近，铜带的晶粒越小。 关键词 转底炉法 铜带 晶粒尺寸 StudyonBestConditionsforPreparingFineCrystallineGrainCopper byRotaryHearthFurnacePrinciple W U Zhongliang ，MA Ruixin ，AILin。，W ANG Chunping ，SUN Peng ， ZHANG Yadong ，KANG Bo ，W ANG Mukong (1 SchoolofMetallurgicalandEcologicalEngineering，UniversityofScienceandTechnologyBeijing，Beijing100083； 2 TheDepartemtofNeckelandCobaltofJNMC，Jinchang737102) Abstract Thequalityoffilm depositionbysputteringisaffectedseriouslybythecrystallinegrainsizeofcop— pertargetassemiconductormaterials．Thetechniquetodecreasethesizeofgrainbecomesveryimportant．A kindof copperribbonispreparedbytherotaryhearthfurnaceprincipleinthisreport，andthechangesofthecrystallinegrain sizesisstudied．Itisobservedthatthesmallerthediameterofcruciblebottom holeis，themorerapidthespeedofbot- tom turnplateis，thebettertheheatmove．Theclosertheedgeofwhereaboutsfrom bottom turnplateiswhenthecool— ingofbottom turnplateiswell，andthesmallerthegrainofcopperribbonis． Keywords rotaryhearthfurnaceprinciple，copperribbon，crystalgrainsize 铜(铜带)，并对其晶粒度的变化进行了研究，以期找到使铜带晶 0 引言 粒细化的工艺条件。 作为高附加值的电子材料，金属溅射靶材主要用于半导体 1 实验 产业 、记录媒体产业 (磁记录及光记录)和先进显示器产业，制造 用于尖端技术的各种薄膜材料_1]。在半导体产业中，溅镀靶材 1．1 实验步骤 的晶粒大小及方向都严重影响溅镀薄膜的品质 ，具体表现在 ：随 本实验的原料为 99．9999 片状(30mnix30mnix2ram)阴 着晶粒尺寸的增大，薄膜沉积速率趋于降低；在合适的晶粒尺