Cu（InAl）Se2薄膜太阳电池的研究进展.pdfVIP

· 200 · 材料导报 2012年 11月第26卷专辑 20 Cu(InA1)Se2薄膜太阳电池的研究进展 自兴发 。，杨培志 ，王海蓉。 (1 云南楚雄师范学院物理与电子科学系，楚雄 675000；2 云南师范大学可再生能源教育部重点实验室，昆明650092； 3 云南国防工业职业技术学院，昆明 650092) 摘要 具有黄铜矿结构的CulnSe2(CIS)类薄膜太阳电池随着其转换效率的进一步提高，受到 日益广泛的关 注。相对于CIS材料，Cu(InA1)Se2(cIAs)具有更高的禁带宽度，可用比Ga合金更小的相对浓度来实现更可观的带 隙，CIAS有望取代CIS成为薄膜太阳电池的新型材料。结合最新研究进展论述了CIAS薄膜材料的不同制备方法 及合成机理，并讨论了目前CIAS太阳电池研究中存在的问题和今后的发展方向。 关键词 CIAS 太阳电池 制备方法 RecentStudyProgressonCu(InA1)Se2ThinFilm SolarCell ZIXingfa ，rANGPeizhi。．WANG Hairong。 (1 DepartmentofPhysicalandElectronicScience，ChuxiongNormalUniversity，Chuxiong675000；2 KeyLaboratory ofRenewableEnergy，MinistryofEducation，YunnanNormalUniversity，Kunming650092；3 NationalDefense IndustryandtheCareerTechnicalCollege，Kunming650092) Abstract Thinfilm solarcellsbasedonchalcopyritethinfilmshavegainedincreasing interestduetOsteady progressinconversionefficiencies．Cu(InA1)Se2(CIAS)maybeviablealternateforhigherbandgapthanCulnSe2 (CIS)basedsolarcellsbecauseitrequireslessrelativealloyconcentrationthanGaalloystoachievecomparableband gap．Thedifferentpreparationmethodsandsynthesismechanism ofCIASmaterialswithreferencetothelatestre— searchprogressaredescribed．ThepreparationdisadvantageanddevelopmenttrendsofCIASsolarcellarealsopre- sented． Keywords CIAS，solarcell，preparationmethods 变化，使之接近理想的能隙 (约 1．4eV)，与太阳光谱更加匹 0 引言 配，从而获得更高的转换效率。CuIn一GGSe。(CIGS)即为 能源是人类社会发展和生活不可或缺的重要基础，然而 CuInSe。和CuGaSe。混晶半导体，可通过改变 -z来调整和优 随着人口增长和工业化进程加速导致全球性的能源短缺 、环 化禁带宽度 (如图 1所示，其中 = (A1)／n(In十A1)、 境污染、生态破坏和气候变暖，给人类社会带来了严重的困 n(Oa)／n(In+Oa)、(S)／n(S+Se))，进行带隙剪裁 (Band 扰。传统能源如煤和油在世界上存量