Cu-In系中Cu11In9相的生长动力学研究.pdfVIP

Cu—In系中Cu In。相的生长动力学研究／谭艳芳等 Cu-In系中CUllIn9相的生长动力学研究 谭艳芳，潘 勇，欧铜钢 ，周兆锋 (湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室 ，湘潭 411105；湘潭大学材料与光电物理学院，湘潭 411105) 摘要 采用电沉积方法在 Cu基底上制备一层 In薄膜得到Cu-In扩散偶。将扩散偶在 T一 453K、503K和 553K时分别进行 t一 20min、40min、60min和 9Orain的热处理。实验结果表 明，在 Cu-In扩散偶界面形成 了不同厚 度的金属间化合物层 Cu In9相；将 Cu Ing相的厚度与热处理时间的关系按经验公式进行拟合，得到比例常数k和 生长速率时间指数 ；k和 值的大小表明，金属间化合物Cu In9相层的生长速率受扩散和 固态铜在液态铟 中的溶 解共 同控制 。 关键词 金属间化合物 Cu-In预制层 生长动力学 cu11In9相 扩散 StudyonGrowthKineticsofCUl1In9PhaseinCu—InBinarySystem TAN Yanfang，PAN Yong，oU Tonggang，ZHOU Zhaofeng (FacultyofMaterials，OptoelectronicsandPhysics，XiangtanUniversity，Xiangtan411105；KeyLaboratoryofLow Dimensional MaterialsandApplicationTechnology，XiangtanUniversity，MinistryofEducation，Xiangtan411105) Abstract InordertOstudythegrowthkineticsoftheCunIn9phase，Cu-Indiffusioncouplesarepreparedby electrodepositing in film on Cu substrate．Thediffusion couplesareannealedattemperaturesof453K，503K and 553K，respectivelyfort一 20min，40min，60minand90min．TheexperimentalresultsrevealthatthereiSanintermetal— liccompoundofCul1In9withdifferentthicknessformedintheCu-Ininterface．TheaveragethicknessdoftheCu11In9 layerismathematicallydescribedasapowerfunctionoftheannealingtimet．Thevaluesofproportionalitycoefficientk andtheexponent，2areobtainedbylinearfit．AccordingtOthevaluesofkandexponent ，thegrowthofCu11In9layeris notustcontrolledbythevolumediffusion，thedissolutionofCuiSalsocontributedtotherate-controllingprocess． Keywords intermetalliccompound，Cu-Inprecursor，growthkinetics，Cu1lInuphase，diffusion 没有提到Cu,In9相的生长行为，其他文献对 Cu-In二元系的固 0 引言 液反应扩散的研究报道也只分析 了Cu In9相的界面微观结 Cu-In合金在工业生产中具有重要的应用价值，尤其在 CIS 构，缺少对生长动力学的探讨[14,15]。 薄膜太阳能电池以及电子和微电子行业 中有着非常重要 的地 本