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高体积分数铝碳化硅复合材料研究进展 ／崔葵馨等 ·4O1 · 高体积分数铝碳化硅复合材料研究进展 崔葵馨，常兴华，李希鹏，莫 俳，王 旭，金胜明 (中南大学资源加工与生物工程学院，长沙 410083) 摘要 阐述 了高体积分数铝碳化硅复合材料的性能及影响因素，重点综述了各种制备方法的研究现状及其优 缺点，阐述 了目前存在的问题和下一步研究方向。 关键词 SiCp／A1复合材料 高体积分数 性能 制备 AdvancesinResearchOilHighVolumeFractionAluminum SiliconCarbideComposites CUIKuixin，CHANG Xinghua，LIXipeng，MO Pai，WANG Xu，JIN Shengming (SchoolofMineralsProcessingandBioengineering，CentralSouthUniversity，Changsha410083) Abstract Theperformanceofhighvolumefractionaluminum siliconcarbidecompositesanditsinfluencefac— torsareintroduced．Theresearchdevelopmentofallkindsofpreparationmethodsandtheiradvantagesanddisadvan— tagesaresummarizedindetail．Theexistingproblemsandthedirectionsforthefutureresearchanddevelopmentare suggestedadditionally． Keywords SiCI1／A1composites，highvolumefraction，performance．fabrication 高体积分数铝碳化硅(SiC。／A1，也有文献写为 SiC／Al、 整，其热导率取决于各组分的导热能力、体积分数、SiC相的 A1SiC)复合材料是一种无机非金属颗粒增强型金属基复合 分布形式和粒径、界面以及材料制备过程 中所产生的气孔、 材料，采用金属Al或Al合金作基体，按设计要求，以一定形 微裂纹等工艺因素[7]。研究结果表 明：复合材料的热导率随 式、比例和分布状态 ，用体积分数不小于 35 的SiC颗粒作 着 SiC体积分数的增加、SiC颗粒尺寸的减小、界面层的增 增强体，具有高热导率(200W／(m ·K))、热膨胀系数可调 厚、基体合金中Si元素的增加而降低[8-1o；热膨胀系数随着 ((6．5～12．5)×10 ／K)、高比强度和 比刚度、耐磨、耐疲劳、 SiC体积分数的增加而降低，基体合金中添加Si元素有利于 低密度和 良好 的尺寸稳定性等优异的力学和热物理性 热膨胀系数的降低，而 SiC颗粒的尺寸、形貌对热膨胀系数 能[1]。这些性能使封装体与芯片的热膨胀系数相匹配，并 的影响尚有争议，需进一步研究_s～ 。 起到良好的导热作用，解决了电路的热失效问题[5]，提高了 高体积分数 SiC。／A1复合材料的力学性能属各向同性， 元器件的可靠性和稳定性 ，大幅度提高 了各种微波、微电子 比刚度在 24OMPa以上 ，是铝的3倍 ，是 W—Cu和Kovar的5 以及功率器件、光电器件的封装性能，有望替代分别 以Kovar 倍，是铜的25倍；抗弯强度大，其力学性能主要 由增强材料 和W—Cu、Mo-Cu等合金材料为代表的第一、第二代专用电子 的颗粒性质、界面性质和基体性质决定。研究表明，SiC颗粒 封装材料 。另外SiC。／A1的抗震性 比陶瓷好，是恶劣环境下 含量增加、尺寸减小，复合材料的杨 氏模量、抗弯强度随之增 的首选材料。由于SiC。／A1复