T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究.pdfVIP

T-znOw 高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究／马泽宇等 ·227 · T—ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究 马泽宇 ，王晓亮L，王翠梅 ，肖红领L。，杨翠柏 (1 中国科学院半导体研究所材料科学中心，北京 100083；2 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083) 摘要 从 T-ZnOw独特的空间结构 出发 ，建立 了 Znow 高分子复合材料的新型三维点阵模型，利用 MonteCarlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟，得到点阵逾渗阈值为 23．2 。结合实际计算获得 了 rr_ZnCh^，的临界掺入比例，与文献报道 的结果基本吻合。计算表 明临界掺入比例主要取决于T-ZnOw 的长径 比，并与晶须尺寸以及复合材料制备工艺有关。 关键词 T-ZnOw 逾渗 复合材料 中图分类号：TB332 SimulationandResearchofPercolationPhenomenon inT-ZnOw PolymerComposites MA Zeyu ，W ANG Xiaoliang ，W ANG Cuimei ，XIAO Hongling ，YANG Cuibai (1 MaterialsScienceCenter，InstituteofSemiconductors，ChineseAcademyofSciences，Beijing100083；2 Key LaboratoryofSemiconductorMaterialsScience，InstituteofSemiconductors，ChineseAcademyofSciences，Beijing100083) Abstract A nove1three-dimensional1atticemodelofT-ZnOw polymercompositesiSconstructedbasedon thespecialstructureofT—Zn0w ，percolationphenomenonofthesystem issimulatedbyMonteCarlomethod，andper— colationthresholdofthelatticeobtainedat23．2 ．Then，thecriticalmixingratioofT_ZnOW iScalculated，theresultof whichbasicallyagreeswiththatreported．ThecalculationshowsthatthecriticalmixingratiomainlydependsontheL／ D ratioofT-ZnOw，andiSalsorelatedtothesizeofT-ZnOw aswellaspreparationmethodofthecomposite． Keywords rr_ZnOW，percolation，composite 四针状氧化锌晶须 (T_Znow)导电性能好、弹性模量大， 0 引言 常作为填充材料制备抗静电、耐磨 以及 电磁波吸收复合材 高分子复合材料以高分子材料为基体，通过添加各种具 料[7]。T-ZnOw具有独特的三维空间结构以及与其它类型填 有某种特性的填料复合而成 ，除了保持有高分子材料的优 良 充粒子不同的邻近连通特性 ，理论研究表 明，系统逾渗阈值 特性外，还具备磁性以及 良好的导电、导热等性能，从而在 电 与表征点阵邻近连通特性的配位数关系密切_8]，因此不能使 磁波吸收、抗静电、导热和耐磨等领域有着广泛 的应用[1]。 用现有的逾渗模型来直接获得 T-ZnOw 复合材料体系的逾 在导电复合材料中，随着导电填料填充 比例的增大，粒子间 渗阈值。本研究主要根据 T-ZnOw独特的空间结构建立新 相互连接