Y2O3掺杂量对ZnO-Bi2O3-Nb2O5压敏陶瓷电性能的影响.pdfVIP

YzOs掺杂量对ZnO-BizOs—NbzO 压敏陶瓷电性能的影响／华小虎等 ·335 · Y2o3掺杂量对 ZnO—Bi2O3-Nb2O5压敏陶瓷电性能的影响 ． 华小虎，刘向春 (西安科技大学材料科学与工程学院，西安 71O054) 摘要 通过掺杂Y203和优化烧结工艺制备了ZnO-BizOa—Nb2O5压敏陶瓷。利用XRD、SEM 和VSR研究了 Y2()3掺杂量对其电性能的影响。结果表明，随着Y2()3掺杂量增加，陶瓷电阻率p减小，非线性系数 增大；BiOa气 氛下烧结 (1170℃、保温2．5h)的陶瓷，当z(Bi203)和 Iz(Nb205)为3 、(Y2Oa)为0．2 时，其致密度最大 (4．4g／ cm )，电阻率最小(461Q ·cm)，电位梯度最小(5．5V／mm)，d高达9．85。 关键词 ZnO压敏陶瓷 掺杂 电学性能 非线性系数 YzO。 中图分类号：TB321 文献标识码：A EffectofY2o3dopingonElectricalPropertiesofZnO-Bi203一Nb2O5-based VaristorCeramics HUA Xiaohu。LIU Xiangchun (SchoolofMaterialsScience Engineering．Xi’anUniversityofScienceandTechnology．Xi’an710054) Abstract Yz03一dopedZnO-BizOa～Nb205varistorceramicswerepreparedbymeansofoptimizatedsintering， andtheeffectofY2OacontentonelectricalpropertieswerestudiedbyusingXRD，SEM ，VSR．Theresultsshow that thedensityandthenonlinearcoefficientofceramicincreaseasY2Oacontentincreasing，atthesametime，theceramic resistivityandpotentialgradientreduce．W henBi2O3，Nbz05contentis3mol andY2O3contentis0．2mol ，the ceramicsinteredat1170℃ for2．5hunderBi203atmosphereexhibitagoodproperty，maximumdensity(4．4g／cm。)， minimumresistivity(461n ·cm)，minimumpotentialgradient(5．5V／mm)andhighnonlinearcoefficient(9．85)． Keywords Zn0varistorceramicS，doping，electricalproperties，nonlinearcoefficient，Y2O3 Y。O。掺杂量对其电学性能的影响，为研制低 电压下具有 良 0 引言 好电阻率和非线性特征的压敏陶瓷材料奠定了基础。 ZnO-BiO。系压敏元件材料的烧结温度相对较低 ，具有 1 实验 优 良的抗浪涌能力，体积小，适合表面安装技术，但Bi的高温 挥发及抗酸能力较差[1]。在 ZnO-Bi：O。系中掺入Nb。O 可 将 ZnO(天津市科密欧化学试剂开发中心，分析纯)、 提高ZnO晶格 电导率，在晶界处与ZnO反应生成 Zn。Nb。O。 Bi。O。(上海化学试剂厂，分析纯)、NbO (上海化学试剂厂， 等尖晶石相，在