TiO2铁磁性起源的研究进展.pdfVIP

· 6 · 材料导报 2012年 11月第26卷专辑 20 TiO2铁磁性起源的研究进展 李东翔 ，秦秀波 ，李玉晓 ，赵博震 ，曹兴忠 ，王宝义 (1 郑州大学物理工程学院，郑州 450001；2 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室，北京 10O049) 摘要 综述了TiO2的基本性质，并对稀磁半导体中磁性起源的理论模型做 了简单分析，同时还重点以薄膜和 晶体类型的TiO2为阐述对象，讨论 了过渡金属掺杂、非磁性元素掺杂和未掺杂Ti()2对于探究铁磁性起源的优缺点， 其中未掺杂Ti02的常温铁磁性起源与氧空位之间的关系是今后需要解决的重要问题。 关键词 掺杂 常温铁磁性 氧空位 do磁性 Research ProgressinOriginofTiO2Ferromagnetism LIDongxiang一，QIN Xiubo。，LIYuxiao，ZHAOBozhen ，CAOXingzhong，WANGBaoyi (1 SchoolofPhysicalEngineering，ZhengzhouUniversity，Zhengzhou450001；2 KeyLaboratoryofNuclear AnalysisTechniques，InstituteofHighEnergyPhysics，ChineseAcademyofSciences，Beijing100049) Abstract ThebasicpropertiesofTi02aresystematicallysummarized，andabriefanalysisonthetheoretical modeldealingwiththeoriginofmagnetism inthedilutedmagneticsemiconductorsiscarriedout．Meanwhile，focusing onthethinfilm andcrystaltypesofTiO2，theadvantagesanddisadvantagesofthreekindsofsamples，includingtran— sitionmetaldopedTi02，non-magneticelementsdopedTiO2andundopedTiO2，arediscussedwhenprobeintotheir ferromagneticorigin．Amongwhich，therelationshipbetweentheoriginofroom-temperatureferromagnetism andoxy— genvacanciesinundopedTi02urgentlyneedstobesolvedinfuture． Keywords doping，room-temperatureferromagnetism ，oxygenvacancies，domagnetism 半导体 自旋电子学是在研究半导体中载流子、掺杂磁性 在高温下都会转变成金红石型，因此板钛矿型和锐钛矿型 原子及原子核等 自旋极化性质的基础上，控制 电子 自旋态的 TiO 的熔点和沸点实际上是不存在的，只有金红石型TiO 产生、注入以及输运，从而得到具有新颖功能的半导体材料 有熔点和沸点，分别为 1850℃和(2927±27)℃，在此沸点下 的科学。相 比传统的半导体器件，自旋电子器件具有诸如非 TiO。稍有挥发性。除此之外，3种同质多形体都是宽带隙半 易失性、数据处理速度更快、能耗更低、集成密度更高等优 导体，在可见光区域都是透明的且有较高的折射率。自然界 点，而制备具有本征铁磁性的室温稀磁半导体是实现 自旋电 中，由于锐钛矿相在光 电化学使用中的功效，其在光催化方 子器件的关键所在。自从第一次在钴掺杂的TiO 中发现常 面得到了广泛的应用 ；然而，金红石相是最稳定的构型，所以 温铁磁性以来 ，具有常温铁磁性 的氧化物稀磁性半导体在 自 被广泛应用在理论和