铟镓锌氧化物半导体器件开发.pdfVIP

吕晓文，苏智昱，李文辉，石龙强，张合静，曾志远，王宜凡 深圳华星光电技术有限公司AMOLED开发部，深圳518132 深圳市孔雀计划支持 摘要：本论文探讨了不同铟镓锌氧化物半导馓IGZO)界面对氧化物半导体电特性的影响，并对其中界面较好有好的电特性的器件进行了信赖性测试。结 果表明以SiOx-2为栅绝缘层(GI)，IGZO沉积功率为6KW，600A制成的半导体层的器件具有较好的电特性及稳定性，Vth为0．67V，载流S．S为0．17V／dec， Vth Vth往正方向Shlft约O．81V，NBSShlft约 lon／!off大于108，符合驱动器件的要求。且在5000s，80cc。+／-10V的条件下，S．S，Ion均无明显变化，PBS O．50V，均1． 关键词：铟镓锌氧化物半导体；栅绝缘层；信赣|生测试 中图分类号：TN383．+1 IndiumGalli