光激励发光现象在无损探伤中的应用.pdfVIP

L∞(D) 图2光激励发光强度与辐照剂量的关系 其灰度可用等差亮度序列的办法来计算。采用这种方法，我们给出了X射线存储屏 的灰度为6bit．每个灰度级之闻的的光强差为4．8a．u+。而测量仪器可分辨的光激 励发光强度值为1a．u+(光强的测量是相对于日立-F4010荧光分光光度计)，因此 灰度的计算结果是可行的。 量 兰 刘 婪 霸 §多乱um) 图3感光密度沿缝宽的空间分布 在分辨率的测量中，我们在x射线的出口处放置一个长为8哪，宽为25姗的 狭缝，然后将存储屏放在缝的后面。打开X射线光源辐照5min，停止辐照后。狭 缝的x射线圈象就存储在屏中。在图象存储屏后面放置一块超微粒干版，然后在 He～№激光下曝光。将曝光后的千版显影、定影后即读出了狭缝的图象。我们测出 了狭缝的象的感光密度沿缝宽方向的空间分布曲线．如图3所示。根据曲线的半宽 度，得到存储屏的分辨率为不少于8线对／】nID。 ·120· 下两次烧结的新方法。在这种方法中，首先将原料在400℃下烧结1～2h，取出 待冷却后再研磨，然后将炉温升至760℃后，再烧结l～2h，并同时通入需要的 气流。烧结之后经x射线衍射分析确认为是BaFX型的单一物相结构。两次烧结的 新方法具有如下优点：原材料的纯度要求不高，反应时间短，降低了反应温度，不 需2D,X．助熔剂，材料的发强度及存储能力提高了3～4倍。 3光激励发光材料的存储效应 光源(黄灯泡加滤光片)‘，用Spex—II型荧光分光光谱仪监测Eu”在发光峰值处的 发光(386nm)．经光电倍增管放大后用记录仪记景。 图1为BaFCl：Eu”在室温下的存储效应示意图。a为在X射线激发下的发光强 光强度(PSL)。光激励发光衰减曲线下的总面积，代表所存储的光信息能力的大小。 时问(s) 图1 BaFCl：Eu2+存储效应示意图 4基于光激励发光的x射线存储屏 利用我们制备的BaFCl：Eu，经研磨过筛后得到了200目的荧光粉。将该粉与 有机胶混合后，通过丝网印刷技术制各了面积为250×lOOmm2的x射线存储屏。 我们测量了所制备的存储屏的有关性能。 在灰度的测量中首先改变x射线的辐照剂量，测量在不同辐照剂量下，经长波 633nm激励下的发光强度。利用这种方法我们就可以做出光激励发光强度随x射线 辐照剂量变化的线性响应曲线，如图2所示。实验中受光电倍增管计数的影响，我 们测量的x射线存储屏的光激励发光强度的对数值变化范围为0～5。如果改善测 量系统中光电倍增管的灵敏度，线性范围还会提高，因为在我们测量的X射线剂量 范围内，未发现光激励发光的饱和效应。亮度可用若干位=进剖数来表示． ·121 光激励发光现象在无损探伤中的应用 作者： 王永生， 赵籢， 徐征， 王振家， 徐叙溶 作者单位： 王永生,徐征,王振家,徐叙溶(交通大学光电子技术研究所)， 赵籢(交通大学光电子技术研究所証) 引用本文格式：王永生.赵籢.徐征.王振家.徐叙溶 光激励发光现象在无损探 伤中的应用[会议论文] 1998