掺钇（Ba，Ca）（Ti，Zr）O3电容器陶瓷抗还原性的研究.pdfVIP

维普资讯 掺钇 Ba，Ca Ti，Zr O3电容器陶瓷抗还原性的研究 齐晓敏 ，滕元成 ，陈 垄，曾冲盛 西南科技大学先进建筑材料 四川省重点实验室，四川 绵 阳 621010 摘 要：对掺钇的 Ba，Ca Ti，zoo3 BCTZ 电容器陶瓷进行 了抗还原 Capacitors，MLCC 技术发展的总体趋势[”。为了兼顾 性研 究．研究 了不同摩 尔分数的钇的掺 杂对BCTZ电容器陶瓷 的介 电 大容量和低成本两方面的要求 ，选用贱金属镍 电 性能、显微结构和密度的影响 。结果表 明，随着 Y20 掺杂量的增加 ， 极代替钯银 电极成为提高MLCC性价 比的有力措 BCTZ陶瓷的室温介 电常数 、介 质损耗逐渐减 小，居里温度 向低温方 施圆。由于与陶瓷介质材料在高温空气中共烧时Ni 向移动 ，同时绝缘电阻率升 高，BCTZ陶瓷抗还原性能提 高；Y203的掺 入能够促进 BCTZ陶瓷的致密化 ，并有利于抑制BCTZ陶瓷的晶粒生 电极会被氧化进而扩散到陶瓷介质 中，为保证 长 。 MLCC 良好的介电性能，以Ni作为内电极 的MLCC 关键字：钛酸钡：抗还原性 ；钇 ；介 电性能 共烧技术必须采用还原性气氛。在MLCC中，以钛酸 中图分类号 ：TM223。TM534 文献标 识码 ：A 钡为基础的铁电陶瓷是使用最多的陶瓷介质材料 3_『， 文章编号 ：1008—5548 2008 02—0039—04 而常规 BaTiO 瓷料在还原性气氛中烧结时容易高 温失氧而变成半导体丧失绝缘性能，因此 ，研制适应 Reduction—resistantPropertiesof 还原性气氛烧结的抗还原 BaTi0 基 陶瓷介质材料 Ba，Ca Ti，Zr 03CapacitorCeramics 是Ni内电极MLCC开发的关键 。国外研究表明，掺 DopedYttrium 杂适量改性离子 Ca2+．Mg2~,Ni等 且 n Ba ／n Ti l 的BaTiO 陶瓷 ．在还原性气氛 中烧结可获得较好 的 QiXiaomin，TengYuancheng，ChenKun， 绝缘性[5-8]。本文中选取 Ba，Ca Ti，Zr O 陶瓷作为 ZengChongsheng 抗还原材料基体 ，系统研究了YO 的掺杂量对 SichuanProvinceKeyLabofAdvancedConstructionMaterials n BaO+CaO n／ TiO2+ZrO2 1的BCTZ基 电容器 陶 SouthwestUniversityofScienceandTechnology， 瓷的致密化 、介电性能及材料显微结构的影响．同时 Mianynag621010，China 探讨了Y3在 BCTZ陶瓷中可能的抗还原掺杂机制。 Abstract：Thereduction—resistnatpropertiesofYdoped Ba，Ca Ti， Zr O3 BCTZ ceramicswasinvestigated．Theinfluenceofdifferentmolar fractionofsubstitutionconcentrationondielectricproperties，microsturc— 1 实验 tureanddensificationwasstudied Theresultsshowedthatwim thein． creaseofY203ma ounttheroom—temperaturedielectricconstna tnadloss 1．1 样品制备 decreased，htecurietemperatureofBCTZceramicswasshiftedtolower 采用 分 析 纯 试 剂 BaCO3、CaCO3、Ti02、ZrO2、 temperatureandtheresulationresistiviyt increaseegradually， sohtere— YO 为主要原料 ，总结 国内外 已有成果9_『l0]，结合前 duction—resistnatpropertiesofBCTZcerma icswasimprovedalot．The densificationiseffectivelyacceleratednadhtergainrgowthisrestrained 期 的探 索 研 究 ．确 定 本 研 究 的基 料 配 方 为 byaddingYzO3． [ BanCa叫 O]】l01[Tin85Zr05]O2。Y203的掺杂量分别为 Key words：braium titna ate；reduction—resistnat；yttrium