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粉体技术
维普资讯 第7卷第4期 中 国 粉 体 技 术 7№.4 2001年8月 A 2001
作者介童召:幸峰 1946一 ,女,蓑授。1968年单业于北京建筑工生学院,1988—1989年.1995—1996年分剐于 目奉京鼻工艺歼单太学、京鼻太 学进修 现从事超如柑体制备与轴性、粉碎机械力化学、柑傩表面改性研究重柑律科学与工程蓑学。 _ Z奠 业 醚0一::-霎:i藕:0囊””卫::,0囊0”:-i:~0-: 00 。≯辱膏 尊蝤 吩 |a 0 j jt囊 . 渗矗奢蕊曩0 李 冷,曹光明,叶 菁 0 0《 武汉理工大学材辩科学与工程学院,朝北 武汉 430070 曩黪~擘 碍强
摘 要:论述 了克填粉体层的表观电阻率、鲍缘性、介 电常
数,表明了粉体电性质不仅与粉体层的充填率有关,而且与
粉体的分布状态有密切关系。 囊强~蠼~城一耪一一
关t词:充填粉体;分布状态;电性质 中固分类号: .72.2 文献标识码:A 缝 ≯≯一 Jh c
文章编号:1008—座机电话号码1 04—0011—04 ≯一 b】 在 电除尘、带电粉体的静电分离、不同介电常数 a 流经大气中糟体层的屯藏 b 等效屯路
粉体于非均匀电场 中的介 电分离等工业操作中,以 圈 1 粉体曩的电传导
及在粉体的静 电团聚和在壁面沉积的现象中,粉体 的电气性质起着重要的作用。在电除尘中,粉体的 大量 的颗粒以点接触排列。通常在颗粒表面存 电阻率不论是过大 109n·m 或是过小 10 · 在有吸附层 多数情况下为水 。流经该粉体层的电
m ,都会引起逆 电离放 电并且 由于相斥再飞散,而 流,可以认为是由通过颗粒 内部及接触点的电流和
给粉尘捕集带来障碍。另外 ,在粉尘浓度的静 电容 与之平行通过表面吸附层的电流组成的。图1 a 量式测定中,必须注意介 电常数因湿度 环境、空气 的模式和同图 b 所示的电路,从电学上是等效的 中的水分 而引起的变化,因为和粉体的比介电常数 颗粒固有电阻Rb和接触电阻R 是串联的,表面吸 3~5 相 比较 ,水的比介 电常数大到 踟。粉体的电 附层电阻R 与之并联连接。接触电阻R 起因于颗
性质由于环境气氛的不同有很大的变化。最好在现 粒接触点处电流集中、颗粒表面氧化层等。图1 b 场直接测定 。 的电路,全电阻R可以由下式求出。 1 …
1 粉体层的表观电阻率 表观 电导率 一 . 一 R — Rh+R 。R ‘ 块状物的电阻率p可以用下式定义。式中R为 根据粉体是导体,或是半导体、绝缘体,可以分
在断面积为A、长度为 L 的两靖设置电极测定的电 别近似地做如下分析。
阻 1.1 导体颗粒 对于导体,低 电阻率颗粒处于密充填状态时, P 1 R。 R 风 的关系成立,所以由式 2 R≈R , 对于粉体充填层,则为表观电阻率 ,单位为n· 即将导电性颗粒进行充填时,该体系的电阻是 由颗
m 或nc·n1 。电阻率的倒数称为电导率,单位为 s 粒的接触电阻确定的。实践中,用于导电焊剂的银 ·m _ 。 c 颗粒,在容器中轻充填状态下,几乎电流不通过。 若定性地分析粉体层的电传导现象,处于大气 1.2 半导体颗粒
中的粉体层,可 以考虑如图1 a 所示的模式[1] 半导体颗粒处于密充填时,若R R Rb成 立,则R≈Rb。半导体颗粒的情况下,虽也与条件有 关,但充填体系的电阻取决于颗粒的电阻。 收横 日蔫 2001—01—10 维普资讯
l3 绝缘体颗粒 囊 1 丹啦育备种充填剂的酚畦钟脂的麟 性 对于绝缘体颗粒的充填层,若存在着某种程序 充填荆 无 石棉 云母 璇璃纤维 的吸附层 ,一般 Rh、R R 成立 ,所 以R≈R。。即
为,在大气中把绝缘体颗粒充填在电极间,测定颗粒 绝缘耐性 l20~ l卯 鲫 ~ l卯 鲫 ~ l40 140~l60 50~l50
表面的吸附层通过的电流情况。在流经吸附层的电 /kV ·an
流可以忽视 的状态下,因为R ≈ 。。,所以R≈Rb+ 3 粉体的介电常数
Rc。 粉体充填层的电阻可以定性地做如上分析。但 由一对面积为A、间距为d的平行平板 电极组
实际上应该是图 l b 的电路在三维方 向上扩展,处 成的电容,设 电极 问为真空时的静电容为 ,电极
理较为复杂。如果充填率 空隙率 已知,颗粒的真 间装填块状物质时的静 电容为 C,则 C C分别 由 电阻 块状固体电阻 和粉体层的表观 电阻率间的关 式 3 、 4 给出。
系若可知,则是理想的。为此,也可以分析球形颗粒 · 号 3 按立方格子充填的理想粉体层的电阻率模式 ¨2J,颗 Co e。·Cr·A
粒的接触状态、表面吸附层 、充填压力等多种因
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