激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅及粉体光谱特性研究.pdfVIP

维普资讯 第9卷 第 4期 中 国 粉 体 技 术 V01．9No．4 20o3年8月 ChinaPowderScienceandTechnology August 2003 王 锐 一，李道火 一，黄永攀 ，一，罗丽明 ，浦 坦 (1．中国科学院安徽光学精密机械研究所，安徽 合肥 230031；2．山东道钬纳米技术研究院，山东 济南 250100) 摘 要：研究了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的 一 直受到国内外 的普遍关注Ll，2l，已有几种规模生 工作原理，提出了减 少游 离硅 的措施，利 用双光束激发制备 产工艺用于合成氮化硅 ，典型的有热管炉气相反应 得到了超微的、非晶纳米氮化硅粉体 。实验证 明，纳米氮化 法、等离子体法和硅粉的氮化等L3，。硅粉氮化一 硅粉体具有很多奇异物理性能和光谱特性。 般会在氮化硅颗粒 中留下硅芯 ，而且该过程是在 固 关键词：激光诱导化学气相沉积法；氮化硅；纳米粉体；红外 态下进行的，需要研磨和分离，这样就不可能产生窄 吸收光谱；拉曼光谱 粒径分布的无团聚纯相粉末。热管炉气相反应法或 中圈分类号：TB383 文献标识码：A 等离子体法没有理想的热分布和反应区来控制成 文章编号 ：1008—5548{2003)O4—0035一O4 核 、生长和团聚的形成 ，并且无法避免非均匀成核。 要想获得性能优 良的陶瓷材料 ，关键是要有理 ResearchonPrepraationofSilicon 想的粉末作烧结原料，而理想的粉末应当具备下列 NitrideNano-powderswithLaser 特征 ：小的颗粒尺寸、颗粒间无团聚、粒径分布窄(以 InducedChemicalVaporDeposition 避免晶粒生长)、颗粒形态须等轴 ，趋于球形 、高度控 andOpticalChraacteristicsofPowders 制的纯度。但大多数常规方法制备的粉末不具备这 些特征。与常规方法相比，在激光制粉过程中，工艺 WANG Rui．一，LIDao-huo ．一， 参数可精确控制，所 以能够制备出理想的粉末。本 HUANG Yong-pan ．一，LUO Li—uring ，PU Tan 文着重研究了激光诱导化学气相沉积(1aserinduced chemicaldeposition，简写为 LICVD)法制备纳米氮 (1．AnhuiInstituteofOpticsandFineMechanics。ChineseAcademyof 化硅粉体的工作原理，在此基础上，提出了双光束激 ．Sciences，Hefei，230031；2．ShandongDaohuoNano-tcehnologyAcademy。 Jinan，250100，China) 发的新思路以克服游离 Si的存在 ，最后对粉体的光