脉冲激光沉积法生长ZnMgO%2fZnO多层结构以及Zn-%2c1-x-Mg-%2cx-O薄膜P型掺杂的研究.pdf

摘要 znO是直接宽禁带半导体材料(3．37ev)，在室温下具有高的激子束缚能 (60meV)，外延生长温度低，抗辐射能力强，在短波发光二极管、半导体激光 器和紫外探测器等领域具有广阔的应用前景。通过改变ZnO中Mg的掺入量， 让Mg取代zn的位置，所形成的Znl-。M甑O薄膜在保持纤锌矿结构不变的前 提下能够调节带隙在3．3~4．5ev之间变化，而且可以和ZnO形成较好的晶格匹 配。通过在光电器件中建立zrlMgO／Zn0多层量子阱结构，可以提高器件的发 光效率，调制器件的发光特性。另外，P型znl．，M歇O薄膜的引入可以进一步 拓宽其工作波长。因此，开展ZnM90／zn0多层结构生长及znl一，M＆O薄膜P 型掺杂的研究具有非常重要的意义。 本文在总结了Znl．xMg。O薄膜及其器件研究现状的基础上，利用脉冲激光 沉积(PLD)技术在si(11 结构，并通过Li掺杂来制备P型zoo9M9010薄膜。主要的研究工作如下： 1．采用PLD技术在Si(111)衬底上生长出了具有良好晶体质量完全c轴取向 的Znl．xMg。O薄膜。系统研究了工艺参数对znl一。M歇O薄膜质量的影响，获 得了生长znl_xMgxO薄膜的最佳工艺参数。 2．采用PLD技术通过引入低温ZnO缓冲层来改善硅基znl．xMg。O薄膜的晶体 O．1830，而AFM测试结果则发现，引入低温znO缓冲层后，薄膜的表面粗 糙度进一步降低，其RMS值为3．68nm。 3．首次尝试采用PLD技术以低温ZnO作为缓冲层在si(111)衬底上生长 ZnMgO／ZnO多层薄膜结构。sIMS测试表明，Mg含量周期性振荡且形成陡 峭分布，意味着Mg在层间扩散较小。PL谱测试则发现，随着生长周期的 增加、薄膜厚度的减小，znO发光峰的强度增加而znM90发光峰的强度减 弱直至消失，并分析了可能的原因。 4．首次采用PLD技术通过Li掺杂实现了z“09Mgo．10薄膜的P型导电，研究 了衬底温度、氧压及Li含量对薄膜质量、电学性能和光学性能的影响。Hall 测试结果表明，Li含量为O．4at％、衬底温度为550℃、氧压为20Pa的生长 条件下获得了最低电阻率为10．1Qcm；PL谱中则观察到了紫外发光峰，相 对于同样条件下生长zn0的发光峰发生了明显的蓝移，说明Mg的有效掺 入增加了带宽。 关键词：Znl-xMgxO薄膜，Z州gO，zn0多层结构，P型Zno9Mgo10薄膜，脉冲 激光沉积，“掺杂 浙江大学硕士论文 Abstract Thecell一free isaIlin、，i的translation with expressionsystem system，∞mpare iIlVitr0 theinvivotranslation enablesthedirect system．Cell一丘eesyⅡthesissystem of extrinsic DNAormI心渔．It expressionprotein盘omtemplate synthesizespmteill substrateand inthecellextraction．mtheneweraof 【hroughcOmplementingene曙y ceU一丘ee aⅡew for “bio-omics”，theexpresSionsyst锄opens strategyprotein a isused becauseitcan