硅纳米管的水热法合成与表征.pdfVIP

第 26 卷 　第 8 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 8 2005 年 8 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Aug . ,2005 硅纳米管的水热法合成与表征 裴立宅 　唐元洪 　陈扬文 　郭 　池 　张 　勇 (湖南大学材料科学与工程学院 , 长沙 　4 10082) 摘要 : 采用水热法成功合成了新型的硅纳米管一维纳米材料 ,并采用透射电子显微镜 、选区电子衍射分析 、能量色 散光谱及高分辨透射电子显微镜对合成的硅纳米管进行了表征. 研究表明硅纳米管是一种多壁纳米管 ,为立方金 刚石结构 ,生长顶端呈半圆形的闭合结构 , 由内部为数纳米的中空结构 ,中部为晶面间距约 03 1nm 的晶体硅壁层 , 最外层为低于 2nm 的无定形二氧化硅等三部分组成. 关键词 : 硅纳米管 ; 水热法 ; 结构 ; 表征 PACC : 6 146 ; 8160C 中图分类号 : TN 304 1 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 半导体性能[ 10 ,11 ] . 最近 Sha 等人[ 12 ] 以纳米氧化铝沟 ( ) 1 　引言 道 N CA 为衬底模板 , 以硅烷为硅源 、金属 A u 为催 化剂 ,于 620 ℃, 1450 Pa 时通过化学气相沉积催化 [ 1 ] [2 ,3 ] 生长了直径小于 100nm 的硅纳米管 ;J eon g 等人[ 13 ] 自从碳纳米管 及硅纳米线 等一维纳米材 - 8 ( ) 料被成功合成后 ,立刻引起了诸多领域科学家的极 在 67 ×10 Pa 的真空分子束外延生长 MB E 室 大关注与浓厚兴趣 ,一维纳米材料的研究成为了当 中于 400 ℃在氧化铝模板上溅射硅原子或硅团簇 , 今基础和应用研究的热点. 碳纳米管能否具有金属 并于 600 或 750 ℃氧化处理后制备 了直径 小于 或半导体特性取决于纳米管的石墨面碳原子排列的 100nm 的硅纳米管. 虽然 目前模板法可以制得硅纳 螺旋化方向[4 ,5 ] ,然而到 目前为止 ,还没有人成功制 米管 ,但是此法制备过程较复杂 ,需要模板及金属催 备出金属或半导体碳纳米管 , 因此虽然碳纳米管作 化剂 , 同时实质上所得硅纳米管是硅原子在模板内 ( ) 壁无序堆积形成的. 为场效应晶体管 F E T 及纳米电子集成电路的研究 已有报道[ 6 ,7 ] ,但是碳纳米管在应用上还有很大的 水热法是制备纳米粉末的常用方法 ,对于制备 局限性. 同时由于硅纳米一维材料与现有硅技术极 具有一维结构的纳米材料鲜有报道. 水热法成功合 好的兼容性 ,使其具有代替碳纳米管的潜力. 目前已 成了碳纳米丝及碳纳米管[ 14 , 15 ] 表