氮化铝陶瓷粉体制备方法研究进展及展望.pdfVIP

第29卷第5期 硅 酸 盐 通 报 V01．29No．5 20lO年lO月 BULLETINOFTHECHINESECERAMICSOCIE7IY 0ccober．20lO 氮化铝陶瓷粉体制备方法研究进展及展望 王 杰，张战营，吕新璐 (河南理工大学材料科学与工程学院。焦作454000) 摘要：氮化铝具有良好的热学、电学和机械等性能，是理想的电子封装材料和高性能陶瓷基板材料。本文论述了目 前国内外氮化铝陶瓷粉体的主要制备方法及其特点，分析了氮化铝粉体制备的主要影响因素，阐述了主要解决措 施，展望了氮化铝陶瓷粉体制备技术研究发展的方向。 关键词：氮化铝；制备方法；研究 中图分类号：，IB332 文献标识码：A CurrentResearchStat吣釉d of Methods ProspectSynthesis 0f NitridePowder Aluminum WANG X汛一lu J论，zHANGZkm一如唱，Itv 0fMaterialsScienc髓髓d (sch00l Engin∞rillg，He瑚P0lytechIlicUllive玛ity，Jia咄0454000，Chi眦) with i8 a materialandsubs吮tematerialexceUem on Abstract：灿N ped．ectpacka舀ng pmperties and∞on．Themain methodsofAlN werere、riewed． calori6cs，electmlogy，mechanismsynthesis powder tlle resolVentsdiscu8sed．Theresearch Themaine董f．ectf如torswere releVant were and analyzed，and trendsofAlN are development synthesispmspected． KeywOrds：aJuminumnitride；synthesismethod；research l 引 言 白色，通常为灰色或灰白色，是典型的III—V族宽禁带半导体材料，具有热导率高、高温绝缘性和介电性能 好、高温下材料强度大、热膨胀系数低并且与半导体硅材料相匹配、无毒等优点¨引，具有良好的热学、电学和 机械等性能，因而成为理想的电子封装散热材料，能高效的逸散大型元件如大规模集成电路的热量，是组装 超大规模集成电路所不可缺少的高性能陶瓷基板材料HJ。在电力电子、电子信息等领域有着广泛的应用潜 力，并在电子器件小型化和降低成本方面发挥重要作用。 2 氮化铝粉体的制备方法 制备高性能的氮化铝粉体成为当前研究的重点。氮化铝的主要性能㈦63如表l所示。 氮化铝粉体的制备方法很多，目前国内外研究的主要有以下几种方法：铝粉直接氮化法、Al：O，碳热还 原法、白蔓延高温合成法、溶剂热合成法、溶胶．凝胶法‘”、等离子化学合成法‘81、化学气相沉积法…、利用水 引发固相反应法‘101、氮化铝的氨热合成法‘¨