F掺杂SnO2透明导电薄膜微结构及性能研究.pdfVIP

第25卷 第2期 太 阳 能 学 报 VO1．25．No．2 2004年 4月 A(vrAENERGIAFS。LARISSINICA Apr．．2004 文章编号：0254—0096(2004)02—0152—05 F掺杂 SnO2透明导电薄膜微结构及性能研究 莫建良，陈 华2，曹涯雁2，刘起英2， 汪建勋2，翁文剑 ，韩高荣 (1．浙江大学硅材料国家重点实验室 ，材料科学与工程学系 ，杭州 310027； 2．浙江大学蓝星新材料技术有限公司，杭州 310027) 摘 要：通过实验测量常压热分解CVD工艺制备的F掺杂 sn 薄膜的方块电阻、膜厚、形貌、微结构、中远红外反 射率等性质，详细研究了基板温度对SnO2薄膜微结构的影响和微结构与薄膜电学、光学性能之间的关系。研究发现， 将基板温度从375℃提高到525℃以上，薄膜结晶程度大大提高，薄膜厚度从25nm提高到近300nm，方块电阻下降了 两个数量级，中远红外的反射率达到了85％以上。 关键词：CVD；F掺杂 snO2薄膜；微结构；性能 中图分类号：TM615 文献标识码 ：A 备，实验用的先驱体均用鼓泡器进行气化，其中 O 引 吾 MBTC用空气作载气在 160℃时气化，TFA用氮气 Sn0，薄膜理论上是一种绝缘薄膜 ，而实际制 作载气在 20℃时气化，外加少量水蒸汽作为催化 备的Sn％ 薄膜由于存在晶格不完整及氧空位导致 剂，三股气流在空气加热器中混和加热到 180℃后 的非化学计量，在禁带内形成施主能级，向导带提 送入反应器。反应器温度维持在 180℃，反应器下 供 l0 ～l0 cm一0浓度的电子[，使得 SnO2薄膜 玻璃基板的温度根据实验要求从375～600~C不等。 实际为n一型半导体。在 Sn％ 中掺入 F、Sb或P等 实验中混和反应气体的Sn、F原子比例为2．5：1。 元素能形成浅施主能级掺杂，掺杂量大于 1．Oat％ 为防止玻璃 中的Na 、K 碱金属离子扩散进入 时，载流子浓度为 l0 ～10。cm ，电阻率可达 Sn 膜层，影响薄膜的电、光性能，在玻璃表面 l0_。～l0-4t-I·cm， SnO2转变为导体_2_。由于掺杂 用溅射法预先镀制一层约 25nm厚的Si 阻挡层。 SnO2存在高浓度 的自由电子，对 中远红外具有较 snO，薄膜的方块电阻用广州半导体材料研究 高的反射率，常用于透明电极、电加热玻璃、高效 所生产的XX一2型方块 电阻仪测定，薄膜的晶体结 节能灯、防静 电膜和电磁屏蔽l3J等。但是，目前 构采用 日本理学 电机株式会社生产的D／max一1RA 要大面积低成本大规模地生产 SnO2透 明导电膜还 型转靶X一射线衍射仪进行分析，采用 JEM—IOOCX 存在一定的技术困难，本文首次提出了以单丁基三 Ⅱ透射 电子显微镜 HITACHI$570型扫描 电镜进 氯化锡(C4H9SnCI3，以下简称MBTC)和三氟乙酸 行形貌和结构分析，膜厚用 J．A．W~llam公司生 (CF3COOH，以下简称TFA)为反应先驱体，采用 产的wVASE32TM椭圆偏振仪测定。 常压热分解 CVD法制备 F掺杂 SnO2透明导 电膜 2 薄膜结构性能及分析 的生产工艺，并详细研究了基板温度对薄膜微结构 和性能的影响。 2．1 薄膜厚度 图