BiNb04掺杂对钛酸钡陶瓷介电性能的影响.pdfVIP

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BiNb04掺杂对钛酸钡陶瓷介电性能的影响.pdf

维普资讯 第30卷第5期 压 电.与 声 光 Vo1.3ONo.5 2008年 1O月 PIEZ0ELECTECTRICS &|AC0USTOOPTICS 0ct.2008 文章编号 :1004—2474(2OO8)05—0618—03 BiNbO4掺杂对钛酸钡陶瓷介电性能的影响 梁一帅,杨成韬,周晓华,唐 彬,徐 洋 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054) 摘 要 :在 BaTiO。(BT)一NbzOs—ZnO三元系统中加入 BiNbO 以获得中温烧结的X8R陶瓷材料 。研究发现 , BT陶瓷系统的室温介电常数随BiNbO 掺杂量 的增加而减小,适量 的BiNbO 可改善 BT陶瓷的高温稳定性 。 SEM 和 XRD分析表明,掺杂 BiNbO 可在BT系统 中产生条状第二相 BiTi0z,且第二相 的比例 随 BiNbO 掺杂 浓度的增加而增大 。低介第二相BiTi0z的产生是 BT陶瓷系统介 电常数下降的原因。在空气中于 1100℃下烧 成的BaTiO。陶瓷材料的主要性能指标:室温介 电常数E2qx1%00,介 电损耗 tan ≤1.0 ,电阻率 .D≥10“Q · cm,一55~+125C范围内最大 电容量变化率不超过±10 。 关键词 :X8R;钛酸钡 ;BINbO ;介电性能 中图分类号 :TM534 文献标识码 :A EffectsofBiNbO4DopantsUponDielectricPropertiesofBaTiOsCeramics LIANG Yi—Shuai,YANG Cheng-Tao,ZHoU Xiao-Hua ,TANG Bin,XU Yang (StateKeyLab.ofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices,UniversityofElectronicScienceand TechnologyofChina,Chengdu610054,China) Abstract:Inthisstudy,BiNb04havebeendopedintoBaTi03(BT)一Nb2O5-Zn0 ternarysystem inordertoob— taintheX8R materialssinteredatintermediatetemperature.Theexperimentresultshaverevealedthatthedielectric constantatroom temperaturedecreasewiththeincreaseamountofBiNb04.butaproperusageofBiNb04can im— provedielectricpropertiesofBT cerimicsathightemperature.TheSEM and XRD analysisshowed thatBiNb0t dopedBT system willproducethestrip-shaped secondaryphaseBi4Ti3O12.Theproportionofthesecondaryphase grainsincreaseasBiNbO4contentsincrease.TheformationofthesecondaryphaseofBi4Ti3O12withlow dielectric constantispresumedtobethefactorthatthedielectricconstantofBT ceramicsdecreases.TheBaTiO3ceramicscan besinteredatatemperatureaslow as1100。C inairatmosphe

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