P型微晶硅薄膜材料性能的研究.pdfVIP

! 第# 卷 第# 期! ! ! ! ! ! ! ! ! 人! 工! 晶! 体! 学! 报! ! ! ! ! ! ! ! $%’ #! (%’ # ! )**+ 年,* 月! ! ! ! ! ! ! ! ! -./0(12 .3 45(67869: :0546124 ! ! ! ! ! ! ! ! ! .;%=? ，)**+ ! ! 型微晶硅薄膜材料性能的研究 蔡宏琨，张德贤，冯! 凯，齐龙茵，王雅欣，孙! 云 （南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津***@ , ） 摘要：本文讨论了A 型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度（4: ）的变化。采用B 射线衍射仪（B0C ），拉曼光谱仪和傅立叶 变换红外吸收光谱仪（3690 ）对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加，微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导 率（ ）逐渐增大，光学带隙逐渐降低。当硅烷浓度为) ’ *E 时，硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅 !D 颗粒的非晶硅结构。当硅烷浓度为,’ #E 时，硼的掺杂效率最大，同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象。 关键词：太阳电池；微晶硅；非晶硅 中图分类号： .@F ! ! 文献标识码：1 ! ! 文章编号：,***GHF#B（)**+ ）*#G*H)@G*I #$% ’( #)* !+’,*+#-*. ’/ !0#,* 1-2+’2+.#344-(* -4-2’( 5)-( 6-47. !# $%’()* ，+$,- ./(012 ，34,- 521 ，6# 7%’(81 ，9,- :2(01 ，; , :* （9JKLM %N AO%%G;?%JL;K 6OLJ 3LP CQL;K RJD 6;OJLSM %N (RJTRL /JLQ?KLU ，6LRJVLJ ***@ ,，:OLJR ） （=//1?/@ * A2BC )**+ ，2/D E/@ # F*/ )**+ ） 89.#+32# ：6O K?M;M? %N W UW OUD?%XJRD PL;?%;?UKRLJ KLL;%J OLJ NLPK YLO DLNN?J KLRJ ;%J;J?RL%J （4: ）ORK =J LJQKLXRD’ B0C ，48Z RJD 3690 Y? MKD % DK;?L= O K?M;M? %N OLJ NLPK’ 6O X?%YO Q%;LU RJD DR?T ;%JDM;LQLU （ ）%N PL;?%;?UKRLJ KLL;%J OLJ NLPK LJ;?RK !D YLO LJ;?RKLJX %N 4:’ 6O %WL;R =RJD XRW （4%W ）%N OLJ NLPK D;?RKK YLO LJ;?RKLJX %N 4:’ [OJ 4: LK ) ’ *E ，OLJ NLP LK OUD?%XJRD RP%?WO%MK KLL;%J YLO O X?RLJK %N PL;?%;?UKRLJ KLL;%J’ [OJ 4: LK ,’ #E ，O NNL;LJ;U %N =%?%JGD%WLJX ?R;OK O PR\LPMP RJD =%?%JGD%WLJX ;RJ ?K?RLJ ;?UKRLJ’ :* ;’+%. ：K%R? ; ；OUD?%XJRD PL;?%;?UKRLJ KLL;%J （G4L ：7 ）；OUD?%XJRD RP%?WO%MK KLL;%J （2G4L ：7 ） ,!