化学镀铜在超大规模集成电路中的应用和发展.pdfVIP

杨志刚 等：化学镀铜在超大规模集成电路中的应用和发展 1049 化学镀铜在超大规模集成电路中的应用和发展 杨志刚，钟 声 （清华大学材料科学与工程系，北京 100084 ）1 摘 要：随着集成电路的特征尺寸减小至深亚微米以 的抗氧化能力，和阻挡层有较强的结合力。因此，Cu 下，互连延迟成为集成电路性能进一步提高的主要障 膜的电性能，晶体结构，热稳定性和阻挡层的结合力 碍。为解决互连延迟带来的危机，国际上已开发出以 以及Cu 在阻挡层中的扩散与反应是研究的重点。 铜为互连材料，大马士革工艺为制造方法的铜互连工 2.2 Cu 膜电阻率 艺以取代亚微米时代的铝互连工艺。本文介绍了大马 铜膜电阻率是衡量铜膜质量以及金属化工艺可 士革工艺中铜金属化以及阻挡层的研究现状。 行性的重要标志。大块铜导体的电阻率为1.64µ Ω·cm ， 关键词：超大规模集成电路；金属化；铜互连；阻挡层 利用电子束平板镀技术制造 100nm 宽，400nm 厚的铜 中图分类号：TN 401 文献标识码：A 线，用四探针法测量其电阻率为1.7µ Ω·cm[3] 。无电镀 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-1049-05 铜膜电阻率在热处理前一般为 2.10~2.50µ Ω·cm[4~6], 经过热处理，铜膜电阻率降低至 1.8µ Ω·cm 左右。这 1 引 言 是由于化学镀铜膜有大量的缺陷，如空洞、脱氢气泡 等，造成薄膜电阻率上升，经过高温热处理(400 ℃) 在超大规模集成电路(ULSI) 中，电子组件向缩小 此类缺陷大大减少，薄膜结构更加致密，电阻率下降。 化与多功能化发展。近年来，组件设计的复杂程度与 除孔洞之外，歧化反应生成的Cu2O 夹杂在铜膜中亦 集成度均大为增加，并带动互连技术快速发展。为了 大大降低了铜膜的电阻率。当铜膜中夹杂有Cu2O 时， 提高组件的运作速度，降低互连延迟，在金属互连方 铜膜电阻率达到4.6µ Ω·cm[4] ，甚至大于块状铜的电 面已提出铜互连，取代传统的铝及铝合金。由于铜具 阻率。因此在化学镀铜时应避免Cu2O 的生成。 有低电阻率、高抗电迁移与抗应力破裂能力、高热传 2.3 铜膜织构 导系数等优异性质，铜已成为未来最具发展潜力的金 在芯片制造和使用过程中总会经历一定的甚至 属互连材料。 很大的温度起伏过程，组成芯片的硅基体以及薄膜材 全球铜互连的研究以美国、日本、新加坡和台湾 料热膨胀系数各不相同，因而各层之间总会承受一定 最为前沿和活跃。近年来，韩国、以色列等新兴国家 的内应力。随着集成电路的发展，导线线宽进一步降 在此方面的研究也迅速展开。铜互连的研究涉及：铜 低，这意味着一方面使导线中流通的电流密度增加并