基于SEM纳米级电子束曝光机的快速束闸设计.pdfVIP

·光刻技术与设备· 电子工业专用设备 EPE Equipment for Electronic Products Manufacturing 基于SEM纳米级电子束曝光机 的快速束闸设计 刘俊标，方光荣，靳鹏云，薛 虹，张福安，顾文琪 中国科学院电工研究所，北京， ( 100190) 摘 要： 基于扫描电镜 的纳米级电子束曝光系统能够以较低成本满足科研单位对纳米加 (SEM) 工设备的需求。 在电子束曝光系统中， 需要快速束闸控制电子束通断以实现纳米图像的多场曝 光。 从安装位置、机械结构和驱动器等方面讨论快速束闸的设计。 关键词： 电子束曝光； 束闸； 扫描电子显微镜； 图形发生器 中图分类号： TN305.9 文献标识码： A 文章编号： 1004-450 The Design of Fast Beam Blanker for Nano E-beam Lithography Based on SEM LIUJun-bia Abstract: Nanomete placingposition,structur Keywords: E-beamlithography;beamblanker;scannin 1 引言 外，由于其极高的分辨率，也成为当今纳米制造和 [1] 纳米分析的主要手段之一 。 电子束曝光技术是在扫描电子显微镜基础上 针对国内急需的电子束曝光设备，在中国科学 发展起来的，具有曝光波长短和易控制的特点，在 院知识创新重大工程的支持下，中国科学院电工研 集成电路制造业中得到了广泛地应用和发展。它既 究所已经掌握了将扫描电镜(SEM)改造为纳米级 可以用于光掩模制造，可以直接在晶片上光刻。此 电子束曝光系统的图形发生器、激光定位工件台等 收稿日期：2008-08-03 收稿日期： 刘俊标(1974-)，男，副研究员，福建莆田人，博士，主要研究方向向为电子束曝光技术、精密定位技术和压电驱动器。 10 （总第１65 期）Oct． ２００8 EPE 电子工业专用设备 Equipment for Electronic Products Manufacturing ·光刻技术与设备· 关键技术，并为国内一些高校和研究院所将SEM 电子枪 升级为纳米级电子束曝光系统，满足了科研单位用 束闸安装位置 对准线圈 于纳米科技和半导体前沿研究。 第一聚光镜 在电子束曝光机中，为了制作大于一个扫描 第二聚光镜 场面积的图形时，束闸是必不可少的部件，否则 束闸安装位置2 物镜光阑 束闸安装位置3 所制作图形将出现不需要的图形———驻留点或