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第 26 卷 　第 2 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol. 26 　No. 2 2005 年 2 月 　　 CHIN ESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 　　Feb. ,2005 多孔硅新的表面处理技术 1 2 3 3 4 5 虞献文 　陈燕艳 　应桃开 　程存归 　郁 　可 　朱自强 ( 1 浙江师范大学数理学院 , 金华　321004) (2 浙江师范大学信息科学与工程学院 , 金华　321004) (3 浙江师范大学化学与生命科学学院 , 金华　321004) (4 山东大学物理学院, 济南　250100) (5 华东师范大学信息与技术学院 , 上海　200062) 摘要 : 对多孔硅施加阳极氧化表面处理技术 ,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌 ,破坏原有多孔硅的形貌 和本质的问题. 阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面 ,满足 SI 分子化合价的需要 ,消 除悬空键 ,促使多孔硅表面性能稳定 ,避免结构重组产生分子间的不均匀内应力 ,从而获得性能稳定、可靠、在空气 中可以长期干燥保存的多孔硅. 关键词 : 阴极还原; 阳极氧化; 表面处理技术 ; 厚膜 PACC : 3220R ; 6146 ; 8115 中图分类号: TN304 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : (2005) 1 　引言 2 　表面处理技术 多孔硅因为其独特的性质和广泛的应用价值 , 多孔硅的干燥过程是一个非常复杂的化学反 自20 世纪 90 年代以来 ,成为研究热点[1～5 ] . 但是 , 应. 刚制备的多孔硅在其海绵状的多孔腔体内充满了腐 多孔硅的表面处理技术从一个新的角度考虑问 蚀液[6 ] . 经过多次用去离子水冲洗后 ,腔体内主要 题 ,认为多孔硅在生成过程中 , 由于阳极电流的中 充满了水 ,带水的多孔硅是没有应用价值的 ,必须经 断 ,使阳极氧化反应突然停止 ,因而多孔硅表面的硅 过干燥处理. 然而多孔硅在干燥的过程中 ,数分钟内 原子 ,一部分正处在要与 F - 离子化合而又未化合成 就会产生龟裂、坍塌、脱落[2 ] ,破坏了原有多孔硅的 功的高活性状态 ,即活性硅存在悬空键. 当它脱离水 形貌和本质. 因此多孔硅的稳定性问题一直影响着 面时 ,必然要寻求电子结合 ,来满足它的化合价. 此 它的制备和应用 ,如何解决多孔硅的稳定性是进行 时 ,在厚膜多孔硅内部 ,只要有微量悬空键一时找不 多孔硅的科学研究和应用的关键性问题. 到合适的价电子与之结合 ,出于化合价的需要 ,它必 据文献报道 ,多孔硅坍塌的原因是表面张力所 然要与邻近硅原子的价电子组成共有电子对 , 因而 为 ,因而有戊烷干燥法、超临界干燥法[7 ] 、冷冻干燥 会结构重组 ,产生分子间的不均匀内应力 ,导致硅分 法和缓慢干燥法[7 ,8 ] 可以使多孔硅稳定 ,尤以超临 子位移. 多孔硅是一种海绵状的中空结构[6 ] , 比表 [7 ]