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封装磺化酞菁钴配合物的电化学研究.pdf
2006年第27卷第6期 中北大学学报(自然科学版) V01．27No．62006
(总第110期) JouRNALoFNoRTHuNlVERslTYoFcHINA(NATuRALscIENcEEDITIoN)(SumNo．110)
文章编号：1673—3193(2006)06一0515一04
分子筛封装磺化酞菁钴配合物的
电化学研究
王 曼，梁镇海，李瑞丰
(煤科学与技术教育部重点实验室太原理工大学精细化工研究所，山西太原030024)
摘要： 将磺化酞菁钴配合物封装于Y型分子筛中，制备成分子筛改性电极．通过循环伏安法测试，得到
V，一o．27
磺化酞菁钴／Y复合材料修饰电极的电化学行为主要出现在一o．67 V和o．55V三个电位附近，
这反映了配合物中不同价态的钴离子之间以及金属钴和配体之间共有三种不同的氧化还原行为；磺化酞菁
钴分子在Y型分子筛空腔中其电化学活性仍然存在，但其氧化还原峰电位因受到分子筛结构、骨架效应的
影响而发生偏移；封装在Y型分子筛中的coPc(S()。)。，由于受到分子筛空间效应的影响，平面结构发生扭
曲．
关键词：分子筛修饰电极；循环伏安法；磺化酞菁钴
中图分类号：0643 文献标识码：A
A onthe of
Research CoPc(S03)4in
Electrochemistry
MolecularSieVes
Encapsulation
WANGMan，LIANGZhen—hai，LI
Rui—feng
ofCoalScienceand ofEducation；
(KeyI。aboratory TechnoIogy，Ministry
1nstituteof of 030024，China)
SpecialChemicals，TaiyuanUniversityTechnology，Taiyuan
havebeen inthe ofzeohteYandtheirredox
Abstract：CoPc(S03)4compiexes encapsulatedsupercage
havebeen witha and
CoPc(S03)4／Ygraphitepolystyrene
properties investigatedbycyclicv01tammetry
Theresultsshowthattheelectrochemicalbehaviorofthe
electrode．
composite
Vand0．55
arisesinthreedifferent around一0．67V，一0．27
CoPc(S03)4 potentialranges V，indicating
differentCoionan
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